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          2024存儲芯片行業(yè)市場競爭分析及發(fā)展預(yù)測 SK海力士擴產(chǎn)第5代1bDRAM 明年再增65%

          存儲芯片行業(yè)市場需求與發(fā)展前景如何?怎樣做價值投資?

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          SK海力士大幅擴產(chǎn)第5代1b DRAM的舉措,確實是對當(dāng)前及未來市場需求增長的一個有力回應(yīng)。

          SK海力士大幅擴產(chǎn)第5代1b DRAM的舉措,確實是對當(dāng)前及未來市場需求增長的一個有力回應(yīng)。HBM(High Bandwidth Memory,高帶寬內(nèi)存)與DDR5 DRAM(第五代雙倍速率同步動態(tài)隨機存取存儲器)作為當(dāng)前及未來數(shù)據(jù)中心、高性能計算(HPC)和人工智能(AI)等領(lǐng)域的關(guān)鍵組件,其需求隨著技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用場景的擴大而持續(xù)增長。

          SK海力士通過本次投資,將1b DRAM的月產(chǎn)能從今年一季度的1萬片增加到年末的9萬片,增幅高達800%,并且還有進一步的增產(chǎn)計劃。這不僅體現(xiàn)了SK海力士對市場趨勢的敏銳洞察,也展示了其強大的技術(shù)實力和產(chǎn)能擴充能力。

          國金證券的觀點也進一步印證了這一點。隨著AI技術(shù)的快速發(fā)展和廣泛應(yīng)用,尤其是AI訓(xùn)練和推理需求的不斷增長,算力和存儲成為了AI發(fā)展的關(guān)鍵。HBM作為一種高性能、高帶寬的內(nèi)存解決方案,其在AI領(lǐng)域的應(yīng)用前景廣闊。因此,國產(chǎn)HBM及其相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈公司有望在未來幾年內(nèi)迎來加速發(fā)展的機遇。

          此外,隨著國內(nèi)對于AI技術(shù)的重視和投入不斷增加,以及國產(chǎn)化趨勢的加強,國產(chǎn)HBM及其相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈公司將面臨更大的市場機遇。這不僅將促進這些公司的技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)升級,也將為我國在AI領(lǐng)域的發(fā)展提供有力支持。

          SK海力士大幅擴產(chǎn)第5代1b DRAM以及國金證券對AI發(fā)展趨勢的預(yù)測,都表明了未來算力和存儲領(lǐng)域?qū)⒂瓉砜焖侔l(fā)展的機遇。對于國產(chǎn)HBM及其相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈公司來說,這既是挑戰(zhàn)也是機遇,需要抓住市場機遇,加大技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)升級力度,以應(yīng)對未來市場的挑戰(zhàn)。

          根據(jù)中研普華研究院撰寫的《2024-2029年中國存儲芯片行業(yè)市場競爭分析及發(fā)展預(yù)測報告》顯示:

          DRAM芯片行業(yè)市場發(fā)展現(xiàn)狀

          市場規(guī)模與增長:

          DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)芯片市場近年來持續(xù)增長,特別是在2024年,預(yù)計全球DRAM芯片銷售額將增長46%,達到780億美元。這一增長主要由手機、筆記本電腦等終端設(shè)備的強勁需求推動。

          根據(jù)研究機構(gòu)TrendForce的數(shù)據(jù),2024年一季度DRAM內(nèi)存產(chǎn)業(yè)營收規(guī)模達183.47億美元,同比增加近90%,顯示出強勁的增長勢頭。

          技術(shù)進步與產(chǎn)品升級:

          DRAM技術(shù)正逐步向高傳輸速率和低功耗方向發(fā)展。DRAM原廠正在逐步向物理極限制程演進,以滿足市場對于更高性能、更低功耗產(chǎn)品的需求。

          隨著AI、云計算等技術(shù)的發(fā)展,對存儲器的帶寬和容量要求不斷提高,推動了DRAM技術(shù)的持續(xù)進步和產(chǎn)品升級。

          供需關(guān)系:

          當(dāng)前DRAM市場存在供需錯配的風(fēng)險,但整體呈現(xiàn)供不應(yīng)求的狀態(tài)。由于電子產(chǎn)品零售價格走高以及終端廠商需求復(fù)蘇,DRAM存儲芯片價格連續(xù)上漲。

          主要DRAM供應(yīng)商如三星電子、SK海力士、美光科技等廠商均采取控制供給的策略,漲價態(tài)度堅定,預(yù)計短期內(nèi)DRAM價格仍將保持上漲趨勢。

          擴產(chǎn)與市場競爭:

          為了滿足市場需求,DRAM供應(yīng)商紛紛宣布擴產(chǎn)計劃。以SK海力士為例,其正在大幅擴產(chǎn)第5代1bDRAM,預(yù)計到今年年末月產(chǎn)能將增加至9萬片,明年上半年有望進一步增加至14萬-15萬片。

          市場競爭激烈,各大廠商通過技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)能擴張、成本控制等手段爭奪市場份額。同時,隨著國產(chǎn)替代的推進,國內(nèi)DRAM廠商也在加速發(fā)展,力爭在全球市場中占據(jù)更大份額。

          應(yīng)用領(lǐng)域拓展:

          DRAM芯片廣泛應(yīng)用于計算機、服務(wù)器以及各類消費電子設(shè)備中,市場占比高達約55.9%。隨著5G、AI、物聯(lián)網(wǎng)等技術(shù)的快速發(fā)展,DRAM芯片的應(yīng)用領(lǐng)域?qū)⑦M一步拓展。

          特別是在AI服務(wù)器的市場需求大幅增長下,為存儲芯片行業(yè)帶來了新的增長點。同時,隨著汽車電子、工業(yè)控制等領(lǐng)域?qū)Ω咝阅艽鎯ζ鞯男枨笤黾?,DRAM芯片在這些領(lǐng)域的應(yīng)用也將逐步擴大。

          產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu):

          DRAM芯片行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈涵蓋了原材料供應(yīng)商、設(shè)備供應(yīng)商、存儲芯片制造商以及下游應(yīng)用廠商等多個環(huán)節(jié)。上游原材料和設(shè)備的供應(yīng)情況直接影響到DRAM芯片的成本和性能。

          產(chǎn)業(yè)鏈中的存儲芯片制造商是核心環(huán)節(jié),他們負(fù)責(zé)將上游提供的原材料和設(shè)備轉(zhuǎn)化為具有高性能和可靠性的DRAM芯片產(chǎn)品。同時,下游應(yīng)用廠商的需求也反過來影響DRAM芯片行業(yè)的發(fā)展趨勢。

          DRAM芯片行業(yè)市場正處于快速發(fā)展的階段,市場規(guī)模持續(xù)增長,技術(shù)進步和產(chǎn)品升級不斷推動行業(yè)發(fā)展。同時,供需關(guān)系、擴產(chǎn)與市場競爭以及應(yīng)用領(lǐng)域拓展等因素也在共同塑造DRAM芯片行業(yè)的未來格局。

          DRAM芯片行業(yè)市場發(fā)展前景

          市場規(guī)模持續(xù)擴大:

          根據(jù)中研普華研究院的《2024-2029年中國存儲芯片行業(yè)市場競爭分析及發(fā)展預(yù)測報告》,全球存儲芯片市場規(guī)模預(yù)計將從2023年的903.7億美元增長至2024年的1529億美元,顯示出強勁的增長勢頭。

          中國作為全球最大的消費類電子市場,其存儲芯片市場規(guī)模也呈現(xiàn)出增長趨勢。預(yù)計2024年中國存儲芯片市場規(guī)模將恢復(fù)增長至約5513億元,較2023年有所增長。

          技術(shù)進步推動市場增長:

          隨著DDR5等新一代DRAM技術(shù)的逐步成熟和應(yīng)用,DRAM芯片的性能將得到顯著提升,滿足日益增長的高性能計算、人工智能等領(lǐng)域的需求。

          同時,HBM(高帶寬內(nèi)存)等新型存儲技術(shù)的加速發(fā)展,將進一步推動DRAM芯片市場的增長。

          供需關(guān)系改善:

          由于近年來DRAM廠新增產(chǎn)能有限,以及HBM消耗大量產(chǎn)能,DRAM市場正迎來前所未有的供需失衡“超級周期”。這導(dǎo)致了DRAM芯片價格的上漲,為市場帶來了新的增長點。

          各大存儲芯片廠商紛紛減少產(chǎn)能,促使存儲周期提前,供需關(guān)系逐步改善,有助于市場穩(wěn)定發(fā)展。

          應(yīng)用領(lǐng)域拓展:

          隨著云計算、大數(shù)據(jù)、人工智能等技術(shù)的快速發(fā)展,服務(wù)器、智能手機、PC等領(lǐng)域?qū)RAM芯片的需求將持續(xù)增長。

          同時,邊緣計算、物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域也將為DRAM芯片市場帶來新的增長點。

          國產(chǎn)替代加速:

          國家持續(xù)出臺多項扶持政策,推動存儲芯片行業(yè)的國產(chǎn)化進程。國內(nèi)存儲芯片企業(yè)正在加速發(fā)展,提升自主創(chuàng)新能力,逐步實現(xiàn)技術(shù)突破和市場替代。

          國產(chǎn)替代的加速推進將帶動行業(yè)增長,提高國內(nèi)存儲芯片市場的自給率。

          產(chǎn)業(yè)鏈整合與協(xié)同:

          隨著市場競爭的加劇,DRAM芯片產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)將更加緊密地合作,形成更加緊密的產(chǎn)業(yè)鏈整合和協(xié)同。這將有助于提升整個產(chǎn)業(yè)鏈的競爭力和抗風(fēng)險能力。

          DRAM芯片行業(yè)市場發(fā)展前景廣闊。在技術(shù)進步、供需關(guān)系改善、應(yīng)用領(lǐng)域拓展、國產(chǎn)替代加速以及產(chǎn)業(yè)鏈整合與協(xié)同等多重因素的推動下,DRAM芯片市場將保持持續(xù)增長態(tài)勢。

          存儲芯片市場未來將面臨市場規(guī)模持續(xù)增長、技術(shù)創(chuàng)新推動產(chǎn)業(yè)升級、供需關(guān)系變化影響市場價格、國產(chǎn)替代加速推進、節(jié)能環(huán)保成為重要考量因素以及智能化和安全性要求提升等發(fā)展趨勢。

          存儲芯片市場呈現(xiàn)出寡頭競爭的格局。全球范圍內(nèi),三星、美光、SK海力士等少數(shù)幾家企業(yè)占據(jù)了絕大部分市場份額。這些企業(yè)憑借強大的技術(shù)實力、豐富的產(chǎn)品線和廣泛的銷售渠道,在市場中占據(jù)領(lǐng)先地位。

          隨著人工智能、大數(shù)據(jù)等技術(shù)的快速發(fā)展,對存儲芯片的需求將持續(xù)增加。同時,國家政策對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的支持力度也在不斷加大,為存儲芯片市場的發(fā)展提供了有力保障。

          想了解關(guān)于更多存儲芯片行業(yè)專業(yè)分析,可點擊查看中研普華研究院撰寫的《2024-2029年中國存儲芯片行業(yè)市場競爭分析及發(fā)展預(yù)測報告》。同時本報告還包含大量的數(shù)據(jù)、深入分析、專業(yè)方法和價值洞察,可以幫助您更好地了解行業(yè)的趨勢、風(fēng)險和機遇。


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