日本擬加強(qiáng)新一代半導(dǎo)體研發(fā) 半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展分析

• 2021年8月25日 ZhouJiaLiang來源：華爾街見聞 騰訊 虎嗅 新華社 574 32
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日本文部科學(xué)省日前基本決定，為開發(fā)有望大幅節(jié)電等的新一代半導(dǎo)體，加強(qiáng)相關(guān)研究及人才培養(yǎng)力度。正就在下年度預(yù)算概算要求中列入9億日元(約合人民幣5310萬元)展開協(xié)調(diào)。計(jì)劃把承擔(dān)新存儲(chǔ)器、中央處理器(CPU)等設(shè)計(jì)到制造的一條龍研究團(tuán)隊(duì)作為“據(jù)點(diǎn)”，重點(diǎn)編制預(yù)

日本文部科學(xué)省日前基本決定，為開發(fā)有望大幅節(jié)電等的新一代半導(dǎo)體，加強(qiáng)相關(guān)研究及人才培養(yǎng)力度。正就在下年度預(yù)算概算要求中列入9億日元(約合人民幣5310萬元)展開協(xié)調(diào)。計(jì)劃把承擔(dān)新存儲(chǔ)器、中央處理器(CPU)等設(shè)計(jì)到制造的一條龍研究團(tuán)隊(duì)作為“據(jù)點(diǎn)”，重點(diǎn)編制預(yù)算。

日本在第三代的新半導(dǎo)體材料方面已經(jīng)走到了世界前列，日企Novel Crystal Technology全球首次量產(chǎn)了100mm(4英寸)的“氧化鎵”晶圓，并且將于今年就可以提供量產(chǎn)出來的晶圓產(chǎn)品。氧化鎵的別名是三氧化二鎵，氧化鎵(Ga2O3)是一種寬禁帶半導(dǎo)體，也是一種透明的氧化物半導(dǎo)體材料，在光電子器件方面有廣闊的應(yīng)用前景 ，被用作于Ga基半導(dǎo)體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。氧化鎵功率元件的市場規(guī)模，比當(dāng)前最為火爆的氮化鎵功率元件的規(guī)模其實(shí)還要大，也被認(rèn)為是未來光電子時(shí)代最重要的半導(dǎo)體材料。

半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展分析

目前“第三代半導(dǎo)體”器件已經(jīng)迅速進(jìn)入了新能源汽車、光伏逆變、5G 基站、PD 快充等應(yīng)用領(lǐng)域，碳化硅主要 應(yīng)用在新能源汽車和工控等領(lǐng)域，氮化鎵器件主要應(yīng)用在5G基站等領(lǐng)域。2020 年我國“第三代半導(dǎo)體”產(chǎn)業(yè)電力電子和射頻電子總產(chǎn)值超過 100 億元，同比增長 69.5%。其中，SiC、GaN 電力電子產(chǎn)值規(guī)模達(dá) 44.7 億元， 同比增長 54%;GaN 微波射頻產(chǎn)值達(dá)到 60.8億元，同比增長 80.3%。

碳化硅功率器件被廣泛應(yīng)用于新能源汽車中的主驅(qū)逆變器、DC/DC轉(zhuǎn)換器、充電系統(tǒng)中的車載充電機(jī)和充電 樁等，光伏、風(fēng)電等領(lǐng)域。受益新能源汽車的放量，碳化硅功率器件市場將快速增長。 根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，2018年和2024年碳化硅功率器件市場規(guī)模分別約4億和50億美金，復(fù)合增速約51%，按照該 復(fù)合增速，2027年碳化硅功率器件市場規(guī)模約172億美金。

碳化硅襯底材料市場增速快。受益新能源汽車的放量和5G建設(shè)應(yīng)用的推廣，碳化硅襯底材料市場規(guī)模有望實(shí)現(xiàn)快速增長。 根據(jù)Yole統(tǒng)計(jì)，碳化硅襯底材料市場規(guī)模將從2018年的1.21億美金增長到2024年的11億美金，復(fù)合增速達(dá) 44%。按照該復(fù)合增速，2027年碳化硅襯底材料市場規(guī)模將達(dá)到約33億美金

同時(shí)，根據(jù)Omdia的《 2020年SiC和GaN功率半導(dǎo)體報(bào)告》，到2020年底，全球SiC和GaN功率半導(dǎo)體的銷售收入預(yù)計(jì)8.54億美元。未來十年的年均兩位數(shù)增長率，到2029年將超過50億美元。

中國大力發(fā)展第三代半導(dǎo)體

近年來，在國家及地方政府層面，多次出臺(tái)行業(yè)扶持政策，重點(diǎn)發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，解決半導(dǎo)體行業(yè)“卡脖子”問題。在火熱的市場環(huán)境下，各地政府也積極參與到三代半導(dǎo)體項(xiàng)目的投資建設(shè)當(dāng)中。

因三代半導(dǎo)體投資規(guī)模相對較低，產(chǎn)業(yè)鏈上游的材料及生產(chǎn)環(huán)節(jié)不再集中于一二線城市，而是全國遍地開花。數(shù)據(jù)顯示，2018-2020年，我國僅SiC項(xiàng)目政府投資達(dá)到32個(gè)，計(jì)劃投資金額超過700億。

近兩年的投資熱潮，也使得該領(lǐng)域的企業(yè)普遍估值偏高，產(chǎn)生了泡沫，一些項(xiàng)目在未來3-5年很可能難以落地，行業(yè)將迎來一次洗牌。

在5G信息技術(shù)時(shí)代，第三代半導(dǎo)體迎來新發(fā)展機(jī)遇，新基建的實(shí)施助推第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)入黃金窗口期，呈現(xiàn)一派發(fā)展好勢頭，有望逐步實(shí)現(xiàn)自主可控、安全可靠的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)體系，與第一代、第二代半導(dǎo)體優(yōu)勢互補(bǔ)、協(xié)同支撐新一代信息技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展，支撐中國新時(shí)期社會(huì)經(jīng)濟(jì)的高質(zhì)量發(fā)展。

想要了解更多半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展前景，請查閱《2021-2025年中國半導(dǎo)體行業(yè)競爭分析及發(fā)展前景預(yù)測報(bào)告》。

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  2021-2025年中國半導(dǎo)體行業(yè)競爭分析及發(fā)展前景預(yù)測報(bào)告

  半導(dǎo)體指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。半導(dǎo)體在集成電路、消費(fèi)電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域都有應(yīng)用，如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。無論從科技或...

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