半導(dǎo)體供需情況持續(xù)改善，存儲周期有望見底

• 陳博 2023年11月3日 來源：中研網(wǎng) 569 32
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由于存儲行業(yè)的競爭格局集中度高，因此頭部廠商的業(yè)績變化與整個行業(yè)周期同樣存在較強(qiáng)的關(guān)聯(lián)性。受存儲行業(yè)周期下行影響，各大存儲芯片廠商的業(yè)績均受到較大沖擊，三星、海力士和美光在凈利潤端均錄得不同程度的虧損。從美光FY23Q3財報來看，截至23年6月1日盡管美光依舊

存儲與集成電路整體周期呈現(xiàn)強(qiáng)關(guān)聯(lián)關(guān)系。存儲芯片具備大宗商品特性，其價格受市場供需情況波動，且存儲屬于標(biāo)準(zhǔn)化產(chǎn)品，產(chǎn)品可替代性強(qiáng)，加上當(dāng)前整個存儲行業(yè)已形成壟斷格局，頭部廠商在產(chǎn)能和定價方面調(diào)整步調(diào)相對一致，因此存儲行業(yè)彈性更大，在2017年半導(dǎo)體上行周期中，存儲芯片同比增速突破60%，大幅領(lǐng)先其他細(xì)分領(lǐng)域，而2019年半導(dǎo)體周期向下時，存儲芯片同比跌幅同樣明顯大于其他細(xì)分領(lǐng)域。

半導(dǎo)體存儲也稱為存儲芯片，根據(jù)數(shù)據(jù)存儲原理的不同，半導(dǎo)體存儲器可以分為隨機(jī)存儲器(RAM)和只讀存儲器(ROM)。RAM是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器，可隨時進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫且速度較快，斷電后保存數(shù)據(jù)會丟失，是易失性存儲器，通常用作操作系統(tǒng)或者其他運行中程序的臨時數(shù)據(jù)存儲介質(zhì);ROM是一種只能讀取事先所存數(shù)據(jù)的存儲器，斷電后也能保存數(shù)據(jù)，是非易失性存儲器，常用于存儲各種固定程序和數(shù)據(jù)。RAM可進(jìn)一步細(xì)分為靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM)和動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)。相較于DRAM，SRAM讀寫速度非常快，但價格較高，通常用作計算機(jī)中的高速緩沖存儲器，即CPU、GPU中內(nèi)部L1/L2緩存或外部L2高速緩存，容量只有幾十Kb至幾十Mb。DRAM常用于計算機(jī)中的主存儲器，由于結(jié)構(gòu)簡單成本相對較低，且容量可達(dá)16GB，作為系統(tǒng)內(nèi)存具有很高的性價比優(yōu)勢。

存儲芯片周期性強(qiáng)于其他半導(dǎo)體細(xì)分行業(yè)，且往往遵循3-4年一個周期循環(huán)，回顧近十年，存儲芯片主要經(jīng)歷了三輪周期。1)第一輪周期(2012-2015年)：此輪的周期上行主要受智能手機(jī)需求爆發(fā)所影響，當(dāng)時手機(jī)行業(yè)處于功能機(jī)向智能機(jī)轉(zhuǎn)換階段，智能機(jī)的滲透加速帶動了手機(jī)整體的出貨增長，同時也帶動了存儲芯片需求的提升;而此輪的周期下行主要因為各大頭部廠商的新增產(chǎn)能逐步落地，市場供大于求導(dǎo)致價格下跌。2)第二輪周期(2016-2019年)：此輪周期上行一方面由于頭部廠商將產(chǎn)能轉(zhuǎn)移至3DNAND，導(dǎo)致DRAM供應(yīng)不足出現(xiàn)提價，另一方面，安卓手機(jī)廠商為提升產(chǎn)品競爭力逐步提升內(nèi)存和存儲空間;后由于PC、服務(wù)器等下游需求疲軟，市場整體再次呈現(xiàn)供過于求的情形，存儲芯片再次步入下行周期。3)第三輪周期(2020年-至今)：本輪存儲周期始于2020年，在疫情背景下，居家活動時長的增加帶動了PC和服務(wù)器的需求提升，相應(yīng)促進(jìn)了存儲需求的增長，并在2021年到達(dá)本輪周期的頂峰，后續(xù)由于地緣政治沖突、疫情持續(xù)反復(fù)以及部分下游需求疲軟，導(dǎo)致存儲芯片價格開始下行。結(jié)合存儲芯片周期性規(guī)律，考慮到當(dāng)前頭部廠商已經(jīng)開始進(jìn)行產(chǎn)能控制以及資本支出調(diào)整，市場供需平衡迎來改善，加上AI和汽車領(lǐng)域帶來的市場增量需求，我們預(yù)計本輪存儲周期有望于23H2期間觸底。

由于存儲行業(yè)的競爭格局集中度高，因此頭部廠商的業(yè)績變化與整個行業(yè)周期同樣存在較強(qiáng)的關(guān)聯(lián)性。受存儲行業(yè)周期下行影響，各大存儲芯片廠商的業(yè)績均受到較大沖擊，三星、海力士和美光在凈利潤端均錄得不同程度的虧損。從美光FY23Q3財報來看，截至23年6月1日盡管美光依舊虧損19億美元，但是較上一季度虧損有所收窄，營業(yè)利潤率也出現(xiàn)改善跡象，其FY23Q4業(yè)績指引預(yù)計公司業(yè)績將逐步修復(fù);另外，在AI服務(wù)器需求高增長情況下，F(xiàn)Y23Q2海力士營收環(huán)比+44%，其毛利率和營業(yè)利潤率均出現(xiàn)環(huán)比改善趨勢。整體來看，各大存儲芯片廠商正通過減產(chǎn)、優(yōu)化組織結(jié)構(gòu)等一系列手段來緩解業(yè)績壓力，我們認(rèn)為當(dāng)前存儲行業(yè)下行周期已接近尾聲，供應(yīng)端的邊際改善有望率先成為當(dāng)前修復(fù)行業(yè)景氣的關(guān)鍵因素。

當(dāng)前存儲處于下行周期，頭部廠商紛紛縮減資本開支。由于存儲產(chǎn)品具備標(biāo)準(zhǔn)化程度高、同類產(chǎn)品可替代性強(qiáng)等特征，因此產(chǎn)能提升成為各大廠商搶占市場份額的重要手段，存儲廠商的資本支出占總營收約30%-50%，屬于重資產(chǎn)行業(yè)。從存儲龍頭的歷史資本開支情況來看，在行業(yè)上行時期頭部廠商往往會加大資本開支來提升產(chǎn)能，待新增產(chǎn)能落地后又會出現(xiàn)供過于求的情形，導(dǎo)致存儲價格下探并進(jìn)入下行周期，頭部廠商則通過縮減資本開支以及產(chǎn)能等手段來改善市場供需情況。為了應(yīng)對當(dāng)前存儲行業(yè)的下行周期，頭部廠商紛紛縮減2023年資本開支，除三星未出現(xiàn)明顯下調(diào)之外，海力士和美光均大幅縮減DRAM和NANDFlash的資本開支，縮減幅度在30%-50%之間。

頭部存儲廠商的庫存水位對判斷存儲周期變化具有重要意義。從存貨同比增速來看，海力士和美光在22H2已經(jīng)見頂，在采取積極減產(chǎn)措施后，兩家頭部企業(yè)的存貨增速開始下探。另外，在美光23Q3業(yè)績說明會上，公司表示減產(chǎn)措施對公司的庫存去化帶來了積極影響，其客戶端的庫存水位正在逐步改善，PC和智能手機(jī)領(lǐng)域大多數(shù)客戶的庫存已接近正常水平，數(shù)據(jù)中心的客戶庫存也在持續(xù)去化，有望在年底恢復(fù)至健康水平。

存儲廠商陸續(xù)減產(chǎn)，均價跌幅逐步收窄。自22Q2開始存儲產(chǎn)品價格一路下探，甚至部分存儲產(chǎn)品在23H1已跌破現(xiàn)金成本價，為了應(yīng)對行業(yè)周期下行，頭部存儲供應(yīng)商陸續(xù)開啟產(chǎn)能管控，一貫不減產(chǎn)的三星也加入到控產(chǎn)隊列，加上下半年季節(jié)性需求支撐，存儲產(chǎn)業(yè)鏈供需情況逐步改善，盡管供應(yīng)商全年庫存仍未恢復(fù)至健康水平，但整體來看DRAM和NANDFlash產(chǎn)品均價跌幅已呈現(xiàn)逐漸收斂態(tài)勢，根據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)，預(yù)計2023年第三季度DRAM均價跌幅將環(huán)比收縮至0-5%區(qū)間，而NANDFlash均價跌幅環(huán)比收縮至3-8%區(qū)間。

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