生成式AI推高存儲芯片需求 HBM" 救場 " 存儲芯片巨頭財報

• 黃江 2023年7月31日 來源：新浪 334 14
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存儲芯片往往被作為半導體產(chǎn)業(yè)的風向標，呈現(xiàn)出較強的周期性，行業(yè)景氣度受供需關(guān)系影響較大，在景氣度高漲時，各廠商擴大產(chǎn)能以增加收入，易導致供應過剩，而在景氣度下降時則收縮產(chǎn)能、降價清理庫存，最終導致市場供不應求。

HBM" 救場 " 存儲芯片巨頭財報，三星電子存儲業(yè)務所在 DS 部門二季度虧損收窄，SK 海力士二季度銷售額超出分析師預期，公司表示，生成式AI 市場的擴張已迅速推高了對 AI 服務器內(nèi)存的需求，因此，HBM3 和 DDR5 等高端產(chǎn)品的銷量增加。

美光科技此前曾表示，AI 服務器對 DRAM 和 NAND 的容量需求分別是常規(guī)服務器的 8 倍和 3 倍。存儲芯片按照斷電后數(shù)據(jù)是否丟失，可分為易失性存儲芯片和非易失性存儲芯片。易失性存儲芯片常見的是 DRAM，非易失性存儲芯片常見的是 NAND 閃存芯片和 NOR 閃存芯片。

存儲芯片往往被作為半導體產(chǎn)業(yè)的風向標，呈現(xiàn)出較強的周期性，行業(yè)景氣度受供需關(guān)系影響較大，在景氣度高漲時，各廠商擴大產(chǎn)能以增加收入，易導致供應過剩，而在景氣度下降時則收縮產(chǎn)能、降價清理庫存，最終導致市場供不應求。

我國停止采購美光公司在華銷售產(chǎn)品

日前，網(wǎng)絡安全審查辦公室依法對美光公司在華銷售產(chǎn)品進行了網(wǎng)絡安全審查。5月21日晚消息，美光公司在華銷售的產(chǎn)品未通過網(wǎng)絡安全審查。審查發(fā)現(xiàn)，美光公司產(chǎn)品存在較嚴重網(wǎng)絡安全問題隱患，對我國關(guān)鍵信息基礎設施供應鏈造成重大安全風險，影響我國國家安全。

美光在中國區(qū)銷售受到限制,或?qū)е孪掠慰蛻艮D(zhuǎn)而采購國外三星、 SK海力士,國內(nèi)長江存儲、長鑫存儲等競對產(chǎn)品 分析稱,長存、長鑫的上游設備廠或從中受益。

審查發(fā)現(xiàn)，美光公司產(chǎn)品存在較嚴重網(wǎng)絡安全問題隱患，對我國關(guān)鍵信息基礎設施供應鏈造成重大安全風險，影響我國國家安全。為此，網(wǎng)絡安全審查辦公室依法作出不予通過網(wǎng)絡安全審查的結(jié)論。按照《網(wǎng)絡安全法》等法律法規(guī)，我國內(nèi)關(guān)鍵信息基礎設施的運營者應停止采購美光公司產(chǎn)品。

此次對美光公司產(chǎn)品進行網(wǎng)絡安全審查，目的是防范產(chǎn)品網(wǎng)絡安全問題危害國家關(guān)鍵信息基礎設施安全，是維護國家安全的必要措施。中國堅定推進高水平對外開放，只要遵守中國法律法規(guī)要求，歡迎各國企業(yè)、各類平臺產(chǎn)品服務進入中國市場。

3月31日，網(wǎng)絡安全審查辦公室曾發(fā)布公告稱，為保障關(guān)鍵信息基礎設施供應鏈安全，防范產(chǎn)品問題隱患造成網(wǎng)絡安全風險，維護國家安全，依據(jù)《中華人民共和國國家安全法》《中華人民共和國網(wǎng)絡安全法》，網(wǎng)絡安全審查辦公室按照《網(wǎng)絡安全審查辦法》，對美光公司(Micron)在華銷售的產(chǎn)品實施網(wǎng)絡安全審查。

公開資料顯示，美光科技公司是一家全球領先的高級半導體解決方案供應商，是美國最大的電腦存儲芯片生產(chǎn)商，也是全球僅余的三大存儲芯片生產(chǎn)巨頭之一。主要業(yè)務是生產(chǎn)多種形式的半導體器件，包括動態(tài)隨機存取存儲器、閃存和固態(tài)驅(qū)動器;主要產(chǎn)品包括DRAM、NAND閃存、CMOS圖像傳感器、其它半導體組件以及存儲器模塊。

根據(jù)市場咨詢機構(gòu) Omdia(IHS Markit)統(tǒng)計，2021 年三星電子、 鎧俠、西部數(shù)據(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (閃存)市場份額約為 96.76%，三星電子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (內(nèi)存)市場份額約為 94.35%。

中國內(nèi)地市場曾是美光科技最大的市場之一，2018年美光在中國內(nèi)地的營收達到173.57億美元(約合人民幣1182億元)，占到該公司當年總收入的58%。此后，其在中國內(nèi)地的營收規(guī)模、占比逐年下降，美光科技2022財年在中國內(nèi)地市場的收入為228億元人民幣，占比為10.8%。

華為是美光最大的客戶之一，美光大約13%的年收入是來自對華為的銷售。

當?shù)貢r間3月28日，美光科技發(fā)布了最新季度財報，其中顯示，由于半導體市場對3D NAND(閃存)、DRAM(動態(tài)隨機存取內(nèi)存)需求銳減，美光科技2023財年第二季度(截至2023年3月2日)的收入為36.93億美元，相比去年同期大幅下降52.6%，凈虧損高達23.12億美元(約合人民幣160億元)，為史上最慘的一份財報。

根據(jù)中研普華研究院《2023-2028年中國存儲器行業(yè)發(fā)展分析與投資前景預測報告》顯示：

半導體需求及價格持續(xù)滑落，造成南韓半導體大廠滿手庫存，據(jù)外媒報導，三星電子、SK海力士和東部高科，截至2023年第一季度末，半導體庫存總額已接近50兆韓元，創(chuàng)下有統(tǒng)計以來最高庫存金額歷史紀錄。

產(chǎn)業(yè)市況低迷，對三星電子和SK海力士兩大廠商影響明顯，三星電子存儲業(yè)務的營收，連續(xù)三個季度季比及年比大幅下滑;SK海力士的營收也是連續(xù)三個季度季比及年比皆大幅下滑，去年四季度和今年一季度更出現(xiàn)了虧損。

根據(jù)芯片資深從業(yè)人員透露，三星電子已經(jīng)通知了它的分銷商，將不再以低于當前價格出售DRAM芯片。

三星作為內(nèi)存龍頭企業(yè)，它的DRAM價格如果可以停止下跌，那其它廠商大概率會效仿，比方說：中國龍頭企業(yè)的顆粒報價已經(jīng)從上周開始抬升。當龍頭企業(yè)的價格已停止下跌時，或許還會有更多的廠商會效仿，那么現(xiàn)貨價格或許很快就能起穩(wěn)，那漲價也是大概率事件。

存儲芯片根據(jù)其性質(zhì)可劃分為不同的類型。按照掉電后數(shù)據(jù)是否可以繼續(xù)保存在器件內(nèi)，存儲芯片可分為：掉電易失和掉電非易失兩種。

易失存儲芯片主要包含：靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)和動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)。像這次三星價格反彈的芯片，也就是這個動態(tài)隨機存儲器(DRAM)。

非易失性存儲器主要包括：可編程只讀存儲器 (PROM)，閃存存儲器(Flash)和可擦除可編程只讀寄存器(EPROM/EEPROM)等。

在這么多種類種，目前主要由：DRAM 和 NAND Flash ，這兩種占據(jù)主要存儲芯片市場。

據(jù) TrendForce 數(shù)據(jù)，22Q4 全球 DRAM 市場規(guī)模為121.55 億美元，主要被：三星、SK 海力士等三家巨頭壟斷，三家市場份額合計高達 95.8%。

存儲器價格已跌破歷史最低位置

價格端，存儲器價格已跌破歷史最低位置(當前DRAM價格距離最高點下跌超60%，部分料號現(xiàn)貨價與合約價已經(jīng)出現(xiàn)倒掛)，價格潛在下跌空間較小。供給端，原廠庫存開始減少，模組廠商庫存逐漸見底，主動去庫存效果明顯。需求端，服務器新世代CPU的推出和AI需求增加，將提升DDR5、HBM等高性能產(chǎn)品及高密度模組的需求。該行認為存儲價格有望逐漸接近下行周期底部，并看好2023年二三季度存儲板塊迎來止跌。

根據(jù)IC Insights的數(shù)據(jù)，2021年DRAM在整個存儲市場的市場份額約為56%，F(xiàn)lash閃存的市場份額約為43%，其中NAND閃存為41%，NOR閃存為2%，其他存儲芯片(EEPROM、EPROM、ROM、SRAM)將會緩慢成長，但大幅搶占市場的可能性較小。

2024年NAND市場規(guī)模有望達684億美元，隨著NAND原廠陸續(xù)縮減資本開支，NAND產(chǎn)能正在逐漸收斂，庫存去化正在進行。該行看好原廠和渠道的庫存水位或在23年Q2或Q3見頂，NAND價格出現(xiàn)彈性，2024年NAND市場有望實現(xiàn)復蘇。目前NAND行業(yè)形成了三星、海力士、Solidigm、美光、鎧俠、WDC六家公司同臺競爭的格局，2022Q3的CR3達65%，CR6接近95%，隨著WDC與鎧俠的合并談判急速，該行預計未來行業(yè)集中度將進一步提高。美光、三星和海力士都有望在23年將產(chǎn)能轉(zhuǎn)進200層以上，Solidigm以及鎧俠/WDC將落后一世代的制程。3D NAND解決了2D結(jié)構(gòu)下“閃存縮放限制”的問題，大容量、高堆疊層數(shù)的3D NAND 將是行業(yè)未來發(fā)展趨勢。

2023年全球DRAM市場規(guī)模有望達596億，DRAM廠商產(chǎn)能增加幅度收斂，DRAM廠商擴產(chǎn)計劃有所延后。數(shù)十年的大浪淘沙后，2022Q3 DRAM市場CR3超過95%，三星、海力士和美光分別占比41%、29%和26%。DRAM可分為主流DRAM和利基型DRAM ，隨著國外大廠逐漸推出利基市場(三星21Q4停產(chǎn)DDR2，預計23年停產(chǎn)DDR3;海力士也計劃停產(chǎn)DDR3)，國內(nèi)廠商將迎來份額提升的機會。EUV和3D DRAM或成未來趨勢，從三大廠商的工藝制程上看，美光在制程上領先，三星在EUV的使用上領先。

2028年NOR Flash市場規(guī)模有望達61億美元，21-28年CAGR達14.4%，NOR Flash十年低迷期已過，新應用的普及打開向上成長曲線。NOR Flash憑借接口簡單、輕薄、低功耗、系統(tǒng)總體成本更低、讀取速度快等特點成為5G、TWS藍牙耳機、AMOLED、IOT以及自動駕駛汽車等新應用的首選，NOR Flash和NAND Flash性能和定位不同，二者可互補而不可替代。NOR Flash市場經(jīng)歷數(shù)次洗牌，海外廠商逐漸撤退，中國臺灣和中國大陸廠商趁勢而起，2021年NOR Flash市場份額主要被華邦、旺宏和兆易創(chuàng)新所占據(jù)，市占率分別為35%、33%和23%。

該行測算得2026年HBM市場規(guī)模有望達56.9億，2022-2026年CAGR有望達52%?！?D堆疊+近存儲運算”突破內(nèi)存容量與帶寬瓶頸，HBM成為處理大量數(shù)據(jù)和復雜處理要求的理想解決方案。根據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù)，2022年三大原廠HBM市占率分別為SK海力士約50%、三星約40%、美光約10%，隨著海力士在HBM3產(chǎn)品上的持續(xù)領先，預計海力士市占率將繼續(xù)走高。

《2023-2028年中國存儲器行業(yè)發(fā)展分析與投資前景預測報告》由中研普華研究院撰寫，本報告對該行業(yè)的供需狀況、發(fā)展現(xiàn)狀、行業(yè)發(fā)展變化等進行了分析，重點分析了行業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀、如何面對行業(yè)的發(fā)展挑戰(zhàn)、行業(yè)的發(fā)展建議、行業(yè)競爭力，以及行業(yè)的投資分析和趨勢預測等等。報告還綜合了行業(yè)的整體發(fā)展動態(tài)，對行業(yè)在產(chǎn)品方面提供了參考建議和具體解決辦法。

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