硅基光電子技術(shù)的發(fā)展始于上世紀(jì)80年代,Soref發(fā)現(xiàn)了晶體硅中的等離子色散效應(yīng),為硅基電光調(diào)制提供了理論基礎(chǔ)。硅光子技術(shù)其核心理念是“以光代電”,即利用激光束代替電子信號(hào)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。
近日,北京大學(xué)電子學(xué)院王興軍教授、彭超教授、舒浩文研究員聯(lián)合團(tuán)隊(duì)在超高速純硅調(diào)制器方面取得突破,實(shí)現(xiàn)了全球首個(gè)電光帶寬達(dá)110GHz的純硅調(diào)制器。這是自2004年英特爾在《自然》期刊報(bào)道第一個(gè)1GHz硅調(diào)制器后,國際上首次把純硅調(diào)制器帶寬提高到100GHz以上。
硅基光電子技術(shù)的發(fā)展始于上世紀(jì)80年代,Soref發(fā)現(xiàn)了晶體硅中的等離子色散效應(yīng),為硅基電光調(diào)制提供了理論基礎(chǔ)。硅光子技術(shù)其核心理念是“以光代電”,即利用激光束代替電子信號(hào)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。硅光子技術(shù)將硅光模塊中的光學(xué)器件與電子元件整合到一個(gè)獨(dú)立的微芯片中,使光信號(hào)處理與電信號(hào)的處理深度融合,最終實(shí)現(xiàn)真正意義上的“光互聯(lián)”。
硅光芯片就是采用硅光子技術(shù)的光芯片,是將硅光材料和器件通過特色工藝制造的新型集成電路。硅光集成優(yōu)點(diǎn)主要包括了低功耗、高集成度體積減小,通過光子介質(zhì)傳輸信息因而連接速度更快,同時(shí),硅光技術(shù)可以通過晶圓測(cè)試等方法進(jìn)行批量測(cè)試,測(cè)試效率顯著提升。
硅基光電子技術(shù)擁有光的極高帶寬、超快速率和高抗干擾特性以及微電子技術(shù)在大規(guī)模集成、低能耗、低成本等方面的優(yōu)勢(shì),更適應(yīng)未來高速、復(fù)雜的光通信系統(tǒng)。同時(shí)可以滿足長距離數(shù)據(jù)傳輸以及微電子芯片間的短距離大容量數(shù)據(jù)傳輸,通過與微電子集成電路進(jìn)行單片集成,實(shí)現(xiàn)高速、低功耗的片上互連,突破微電子處理器在數(shù)據(jù)互連上的瓶頸。
天然石墨,顧名思義就是自然界天然形成的石墨,一般以石墨片巖、石墨片麻巖、含石墨的片巖及變質(zhì)頁巖等礦石出現(xiàn)。20世紀(jì)初期,用石墨制造電池和鉛筆的技術(shù)傳入中國,當(dāng)時(shí)稱為“電煤”和“筆鉛”的石墨,開始用于近代工業(yè),推動(dòng)了中國石墨采掘業(yè)的發(fā)展。2021年中國天然石墨產(chǎn)量為73.5萬噸,同比增長13.08%。
根據(jù)中研普華產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2023-2028年中國硅基光電子行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢(shì)預(yù)測(cè)報(bào)告》顯示:
金屬硅位于硅基新材料產(chǎn)業(yè)鏈的頂端,是光伏、有機(jī)硅、合金等國民經(jīng)濟(jì)重要部門的核心原料。隨著近年來光伏、新能源汽車、電子信息的行業(yè)的不斷發(fā)展,我國金屬硅的需求量不斷增長,產(chǎn)量也隨之不斷增加。其中2021年中國氣相二氧化硅產(chǎn)量為12.84萬噸,同比增長15.8%;沉淀法二氧化硅產(chǎn)量為181.21萬噸,同比增長10.7%。其中2021年中國氣相二氧化硅產(chǎn)能為45.8萬噸,同比增長2.9%;沉淀法二氧化硅產(chǎn)能為258.71萬噸,同比增長3.9%。
近年來,中國硅基負(fù)極材料正在不斷發(fā)展,硅基負(fù)極市場(chǎng)迎來快速增長,出貨量預(yù)計(jì)大幅增加。2021年中國硅基負(fù)極材料出貨量達(dá)1.1萬噸,同比增長83.33%,占負(fù)極材料出貨量的1.5%。2021年中國硅基負(fù)極材料滲透率僅有1.53%,技術(shù)發(fā)展仍不完善,滲透率波動(dòng)情況較大。未來隨著技術(shù)的不斷穩(wěn)定升級(jí)。
根據(jù)斯坦福大學(xué)人工智能研究所發(fā)布的《2019人工智能指數(shù)報(bào)告》,深度人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的浮點(diǎn)計(jì)算量呈現(xiàn)驚人的增長,約每3.4個(gè)月就翻一倍,遠(yuǎn)超過摩爾定律的增長速率。數(shù)據(jù)量急速增長,對(duì)于硬件系統(tǒng)的信息處理銷量、延遲和能耗提出了更高的要求。通過二進(jìn)制拓展的微電子處理器存在計(jì)算效率的瓶頸。面對(duì)海量數(shù)據(jù)的人工智能應(yīng)用,如自動(dòng)駕駛、機(jī)器視覺、自然語言處理等,往往需要專門的加速硬件,如圖像處理單元和專用集成電路等,進(jìn)行高強(qiáng)度實(shí)時(shí)的人工智能處理。硅基光電計(jì)算是后摩爾時(shí)代維持計(jì)算性能快速發(fā)展的關(guān)鍵潛在技術(shù)。硅基光電子互連可以賦能高要求的數(shù)字芯片陣列(如GPU、CPU和ASIC存儲(chǔ)芯片等),改變高性能計(jì)算系統(tǒng)的整體架構(gòu),以實(shí)現(xiàn)高帶寬和高能效的通信。
在AI算力高彈性、國產(chǎn)化進(jìn)程持續(xù)推進(jìn)、下游模塊廠商海外業(yè)務(wù)拓展等的共同催化下,光芯片領(lǐng)域發(fā)展前景廣闊,國產(chǎn)替代正當(dāng)時(shí)。產(chǎn)業(yè)多種光芯片方案快速推進(jìn),DFB、EML等傳統(tǒng)光芯片在穩(wěn)定性和低成本方面不斷發(fā)力。未來光芯片順應(yīng)集成化規(guī)律,向硅光芯片集成高速光引擎的發(fā)展趨勢(shì)是目前行業(yè)共識(shí),硅光芯片憑借低成本、高性能的優(yōu)勢(shì)亦有望成為更優(yōu)解決方案。
海外光通信設(shè)備廠商以及相關(guān)行業(yè)具備較強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力的企業(yè)相繼入場(chǎng)進(jìn)行布局,如Intel、Cisco及SiFotonics等巨頭公司起步較早,均已推出多款基于硅光技術(shù)的器件產(chǎn)品,已經(jīng)在行業(yè)內(nèi)占據(jù)頭部地位。
與海外頭部企業(yè)相比,國內(nèi)企業(yè)布局硅光技術(shù)較晚,主要通過收購擁有該技術(shù)的海外公司或者與外企成立合資公司的模式來切入,目前在研發(fā)技術(shù)和成果方面與海外巨頭還有較大差距。不過就當(dāng)前而言,無論是國外企業(yè)的技術(shù)領(lǐng)跑還是國內(nèi)企業(yè)的入場(chǎng)追趕,從目前的市場(chǎng)發(fā)展階段和產(chǎn)品成熟度來看,在功耗、成本、帶寬和產(chǎn)能方面硅光技術(shù)還有較大的提升空間,距離大規(guī)模應(yīng)用尚需時(shí)日,但可以確定的是硅光技術(shù)未來會(huì)成為光通信領(lǐng)域的主流應(yīng)用方向。
根據(jù)工信部發(fā)布的《中國光電子器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展路線圖(2018—2022年)》指出,目前高速率光芯片國產(chǎn)化率僅3%左右,要求2022年中低端光電子芯片的國產(chǎn)化率超過60%,高端光電子芯片國產(chǎn)化率突破20%。
目前我國十四五政策上來看,上海市明確提出發(fā)展光子芯片與器件,重點(diǎn)突破硅光子、光通訊器件、光子芯片等新一代光子器件的研發(fā)與應(yīng)用,對(duì)光子器件模塊化技術(shù)、基于CMOS的硅光子工藝、芯片集成化技術(shù)、光電集成模塊封裝技術(shù)等方面的研究開展重點(diǎn)攻關(guān)。湖北省、重慶市、蘇州市等政府都把硅光芯片作為“十四五”期間的重點(diǎn)發(fā)展產(chǎn)業(yè)。
在消費(fèi)電子領(lǐng)域,智能傳感、移動(dòng)終端等產(chǎn)品均可利用硅光技術(shù)在有限的空間集成更多的器件在量子通信領(lǐng)域,由于硅光技術(shù)保密性強(qiáng)、集成度高、適合復(fù)雜光路控制等優(yōu)勢(shì),有望成為量子通信的重要技術(shù)方案??梢灶A(yù)見,隨著技術(shù)的成熟,硅光芯片在數(shù)通領(lǐng)域和消費(fèi)電子領(lǐng)域的需求將迎來一輪大爆發(fā)。
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2023-2028年中國硅基光電子行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢(shì)預(yù)測(cè)報(bào)告
硅基光電子技術(shù)的發(fā)展始于上世紀(jì)80年代,Soref發(fā)現(xiàn)了晶體硅中的等離子色散效應(yīng),為硅基電光調(diào)制提供了理論基礎(chǔ)。硅光子技術(shù)其核心理念是“以光代電”,即利用激光束代替電子信號(hào)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。...
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