存儲芯片行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及前景分析2023

• 郭夢 2023年1月5日 來源：互聯(lián)網(wǎng) 214 6
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存儲芯片是集成電路價值量最大的產(chǎn)品之一，存儲芯片行業(yè)更是關系到國民經(jīng)濟和社會發(fā)展的戰(zhàn)略性、基礎性和先導性產(chǎn)業(yè)，是培育和發(fā)展新興產(chǎn)業(yè)、推動信息化與工業(yè)化深度融合的核心和基礎。

存儲芯片，是嵌入式系統(tǒng)芯片的概念在存儲行業(yè)的具體應用。因此，無論是系統(tǒng)芯片還是存儲芯片，都是通過在單一芯片中嵌入軟件，實現(xiàn)多功能和高性能，以及對多種協(xié)議、多種硬件和不同應用的支持。在整個芯片產(chǎn)業(yè)中，存儲芯片行業(yè)在全球集成電路產(chǎn)業(yè)中市場銷售額占比最高，在芯片產(chǎn)業(yè)中占據(jù)重要地位。然而，我國的存儲芯片行業(yè)發(fā)展較晚，在2016年以前我國國內(nèi)幾乎沒有存儲芯片的生產(chǎn)能力，國外企業(yè)在存儲芯片行業(yè)則擁有著壟斷優(yōu)勢，所以過去我國存儲芯片產(chǎn)品極度依賴進口。

存儲芯片行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及前景分析2023

存儲芯片是集成電路價值量最大的產(chǎn)品之一，存儲芯片行業(yè)更是關系到國民經(jīng)濟和社會發(fā)展的戰(zhàn)略性、基礎性和先導性產(chǎn)業(yè)，是培育和發(fā)展新興產(chǎn)業(yè)、推動信息化與工業(yè)化深度融合的核心和基礎。因此，近年來我國國家層面先后出臺了一系列針對存儲芯片設計行業(yè)的產(chǎn)業(yè)政策，推動了行業(yè)的迅速發(fā)展。存儲芯片行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈上游參與者為硅片、光刻膠、CMP拋光液等原材料供應商和光刻機、PVD、CVD、刻蝕設備、清洗設備和檢測與測試設備等設備供應商;行業(yè)中游為存儲芯片制造商，主要負責存儲芯片的設計、制造和銷售，芯片具有較高技術壁壘，致使存儲芯片開發(fā)難度高;行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈下游參與者為消費電子、信息通信、高新科技技術和汽車電子等應用領域內(nèi)的企業(yè)。

受中美貿(mào)易戰(zhàn)等原因影響，我國正在加大力度發(fā)展半導體行業(yè)，國產(chǎn)存儲芯片替代進程正在加速，這將提升存儲芯片產(chǎn)品的本土自給率，我國將會逐漸減少對存儲芯片的進口，國產(chǎn)存儲芯片銷量將日益增長。除此之外，當前我國疫情率先恢復，國內(nèi)存儲芯片行業(yè)的經(jīng)濟政策環(huán)境良好，未來，隨著我國政府政策引導和產(chǎn)業(yè)資金扶持，以及本土存儲芯片企業(yè)研發(fā)動力不斷增強，我國存儲芯片出口市場或?qū)U大，這也將進一步促進我國存儲芯片市場規(guī)模的擴大。

近六年來我國存儲芯片行業(yè)快速發(fā)展，且在國產(chǎn)芯片的替代和消費電子需求快速增長的背景下，國內(nèi)存儲芯片市場規(guī)模整體擴大。從2016年到2021年我國存儲芯片市場規(guī)模從1514億元增長至3383億元，平均年復合增長率約為20.57%。

據(jù)中研普華產(chǎn)業(yè)院研究報告《2023-2028年中國存儲芯片行業(yè)市場競爭分析及發(fā)展預測報告》分析

第三章 中國存儲芯片行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析

第一節(jié) 國存儲芯行業(yè)發(fā)展概述

一、中國存儲芯片行業(yè)發(fā)展概況

受中美貿(mào)易戰(zhàn)等原因影響，我國正在加大力度發(fā)展半導體行業(yè)，國產(chǎn)存儲芯片替代進程正在加速，這將提升存儲芯片產(chǎn)品的本土自給率，我國將會逐漸減少對存儲芯片的進口，國產(chǎn)存儲芯片銷量將日益增長。除此之外，當前我國疫情率先恢復，國內(nèi)存儲芯片行業(yè)的經(jīng)濟政策環(huán)境良好，未來，隨著我國政府政策引導和產(chǎn)業(yè)資金扶持，以及本土存儲芯片企業(yè)研發(fā)動力不斷增強，我國存儲芯片出口市場或?qū)U大，這也將進一步促進我國存儲芯片市場規(guī)模的擴大。

國內(nèi)DRAM產(chǎn)業(yè)的起步，可以追溯到1990年代。當時，日本NEC在中國大陸成立了兩家合資公司，從事DRAM的生產(chǎn)。

第一家，是1991年NEC和首鋼合資成立的首鋼NEC。

首鋼NEC從1995年開始，采用6英寸1.2微米工藝，生產(chǎn)4M DRAM(后來升級到16M)。后來，1997年DRAM全球大跌價，首鋼NEC遭受重創(chuàng)，從此一蹶不振。后來，首鋼NEC淪為NEC在海外的一個代工基地，退出了DRAM產(chǎn)業(yè)。

第二家，是1997年NEC和華虹集團合資成立的華虹NEC。

華虹NEC從1999年9月開始，采用8英寸0.35微米工藝技術，生產(chǎn)當時主流的64M DRAM內(nèi)存芯片。2001年后，隨著NEC退出DRAM市場，華虹也退出了DRAM產(chǎn)業(yè)。

2004年，中國又開始了DRAM產(chǎn)業(yè)的第二次嘗試。這次有所行動的，是中芯國際。當時，中芯國際在北京投資建設了中國大陸第一座12英寸晶圓廠(Fab4)，2006年大規(guī)模量產(chǎn)80nm工藝，為奇夢達、爾必達代工生產(chǎn)DRAM。好景不長，2008年，由于中芯國際業(yè)務調(diào)整，退出了DRAM業(yè)務。第二次嘗試，宣告失敗。

2015年，中國DRAM采購金額約為120億美元，占全球DRAM供貨量的21.6%。嚴重依賴進口的現(xiàn)狀，促使國內(nèi)開始了針對DRAM業(yè)務的第三次嘗試。

這次嘗試，最具代表性的，就是武漢、合肥和廈門三大存儲器基地。這些基地借助國家和地方層面的產(chǎn)業(yè)政策，投入了大量資本(超過2500億人民幣)，發(fā)展半導體存儲技術，培養(yǎng)人才。

目前，國內(nèi)在DRAM領域比較有代表性的企業(yè)是合肥長鑫、福建晉華、紫光國芯、兆易創(chuàng)新、北京矽成、東芯半導體、南亞科技(中國臺灣)、華邦電子(中國臺灣)、力積電(中國臺灣)等。

合肥長鑫，是國內(nèi)DRAM存儲芯片的龍頭企業(yè)。他們的DRAM技術主要來自于已破產(chǎn)的德系DRAM廠商奇夢達，以及日系廠商爾必達。

2019年9月20日，合肥長鑫宣布中國大陸第一座12英寸DRAM工廠投產(chǎn)，并發(fā)布了首個19nm工藝制造的8G DDR4，屬于歷史性突破。

根據(jù)機構預計，合肥長鑫的產(chǎn)能2022年到2023年將有望達到12.5萬片。

2016年5月，福建晉華與聯(lián)電合作，進行利基型DRAM的生產(chǎn)。2017年12月，鎂光指控福建晉華和聯(lián)電盜用了自己的內(nèi)存芯片技術。2018年1月，福建晉華也就專利侵犯向鎂光提起訴訟。2018年10月，福建晉華被列入出口管制實體清單。2018年11月，美國司法部又以竊取鎂光商業(yè)機密為由起訴聯(lián)電和福建晉華。一番折騰之后，聯(lián)電扛不住了。2019年1月底，聯(lián)電宣布撤出福建晉華DRAM項目。2021年11月，聯(lián)電和鎂光達成和解。目前，福建晉華方面審查還沒有完整的最終結果。

二、中國存儲芯片行業(yè)發(fā)展歷程

在整個芯片產(chǎn)業(yè)中，存儲芯片行業(yè)在全球集成電路產(chǎn)業(yè)中市場銷售額占比最高，在芯片產(chǎn)業(yè)中占據(jù)重要地位。然而，我國的存儲芯片行業(yè)發(fā)展較晚，在2016年以前我國國內(nèi)幾乎沒有存儲芯片的生產(chǎn)能力，國外企業(yè)在存儲芯片行業(yè)則擁有著壟斷優(yōu)勢，所以過去我國存儲芯片產(chǎn)品極度依賴進口。

2016年前，中國在存儲芯片市場為0，所以極易被國外卡脖子。這個時候，紫光集團成立了長江存儲，來攻克閃存技術。

從2016年開始努力，到2017年11月，紫光集團花費了10億美元，整整1000人的研發(fā)團隊花費2年時間研發(fā)成功首款國產(chǎn)32層3D NAND存儲芯片。這標志著中國存儲芯片實現(xiàn)了0的起步。

2019年5月，紫光成功研發(fā)了64層堆棧閃存芯片，與三星的96層堆棧只有1代的差距。三星、東芝等閃存大廠按照產(chǎn)品規(guī)劃，在2020年將量產(chǎn)128層堆棧閃存，紫光卻跳過了96層的研發(fā)，直接攻關128層閃存。

2020年4月13日，長江存儲科技有限責任公司宣布其128層QLC 3D NAND 閃存(型號：X2-6070)研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證，領先了三星等企業(yè)。

長江存儲X2-6070是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。

2019年，長江存儲再次升級了Xtacking技術，發(fā)布了Xtacking2.0，將進一步提升NAND吞吐速率、提升系統(tǒng)級存儲的綜合性能。

第二節(jié) 中國存儲芯片發(fā)展現(xiàn)狀分析

一、中國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

2021年是中國“十四五”開局之年，在國內(nèi)宏觀經(jīng)濟運行良好的驅(qū)動下，國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)接續(xù)保持快速、平穩(wěn)的增長。據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計，2021年中國集成電路產(chǎn)業(yè)首次突破萬億元，銷售額達到10458.3億元，同比增長18.2%。其中設計業(yè)銷售額達到4519億元，同比增長19.6%;制造業(yè)銷售額為3176億元，同比增長24.1%;封測行業(yè)銷售額達到2763億元，同比增長10.1%。

根據(jù)中國國家統(tǒng)計局發(fā)布的數(shù)據(jù)，2021年中國半導體集成電路(IC)產(chǎn)量將達到3594億片，比上年增長33.3%，這一增長率是去年16.2%的兩倍多。美國半導體行業(yè)協(xié)會(SIA)預測，中國企業(yè)在全球半導體市場的份額將從2020年的9%增長到2024年的17.4%，這意味著中國將成為僅次于美國和韓國的全球第三大半導體生產(chǎn)國。中國集成電路是世界上少有的具有設計、制造、封測、裝備和材料五大板塊齊整的產(chǎn)業(yè)。當前中國已經(jīng)形成了比較完整的產(chǎn)業(yè)鏈，擁有質(zhì)量不斷提升的龐大企業(yè)群體。

中國半導體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展很大程度上得益于長效的半導體投資機制，一方面國家大基金一期、二期投入3400多億元，扶持了許多“成長型”企業(yè)發(fā)展成為行業(yè)佼佼者，涵蓋了集成電路的多個產(chǎn)業(yè)鏈;另一方面，科創(chuàng)板的開閘，利用市場這個新資源為廣大企業(yè)的增長提供了資金的支持，據(jù)SEMI的統(tǒng)計，截止2022年6月23日，科創(chuàng)板已上市的半導體企業(yè)的66家，占科創(chuàng)板總上市數(shù)量的15.4%。

但在取得成績的同時，集成電路產(chǎn)業(yè)仍面臨產(chǎn)業(yè)基礎薄弱、高端芯片供給不足等問題。而且從全球范圍的角度來看，企業(yè)體量仍然比較小，企業(yè)的創(chuàng)新能力仍然受到規(guī)模、盈利能力等限制，實際還非常弱小，但在部分細分領域很多企業(yè)都已經(jīng)進入了比較靠前的位置。

二、中國存儲芯片市場規(guī)模分析

近六年來我國存儲芯片行業(yè)快速發(fā)展，且在國產(chǎn)芯片的替代和消費電子需求快速增長的背景下，國內(nèi)存儲芯片市場規(guī)模整體擴大。從2016年到2021年我國存儲芯片市場規(guī)模從1514億元增長至3383億元，平均年復合增長率約為20.57%。

圖表：2017-2022年市場規(guī)模(單位：億元)

數(shù)據(jù)來源：中研普華產(chǎn)業(yè)研究院整理

欲了解更多關于存儲芯片行業(yè)的市場數(shù)據(jù)及未來行業(yè)投資前景，可以點擊查看中研普華產(chǎn)業(yè)院研究報告《2023-2028年中國存儲芯片行業(yè)市場競爭分析及發(fā)展預測報告》。

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  2023-2028年中國存儲芯片行業(yè)市場競爭分析及發(fā)展預測報告

  存儲芯片，是嵌入式系統(tǒng)芯片的概念在存儲行業(yè)的具體應用。因此，無論是系統(tǒng)芯片還是存儲芯片，都是通過在單一芯片中嵌入軟件，實現(xiàn)多功能和高性能，以及對多種協(xié)議、多種硬件和不同應用的支持。...

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