(砷化鎵)半導體激光器件市場研究：到2024年全球砷化鎵元件市場規(guī)模達157.1億美元

• 吳亞楠 2024年1月3日 來源：互聯(lián)網(wǎng) 781 47
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隨著新一輪科技革命與產(chǎn)業(yè)變革的推進，我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展勢頭更趨積極，市場規(guī)模進一步擴張，產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)逐步發(fā)展壯大。

作為高端制造領域的「皇冠明珠」，國民經(jīng)濟和社會發(fā)展的戰(zhàn)略基石，集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展一直備受關注。由于GaAs的電子遷移率要比硅大5到6倍，這就使得其在制作微波器件和高速數(shù)字電路方面得到重用應用。用GaAs制成的半導體器件具有高頻、高溫和低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等諸多優(yōu)點。

隨著激光技術進步，市場對激光器的光電轉(zhuǎn)化效率、能耗、傳輸量等要求不斷提升，與歐美發(fā)達國家相比，我國半導體激光器在市場應用、核心技術、高端產(chǎn)品供應等方面仍存在一定差距，國內(nèi)企業(yè)應加大技術、產(chǎn)品研發(fā)投入，提高創(chuàng)新能力，積極尋求高端半導體激光器國產(chǎn)化替代。

根據(jù)中研普華研究院撰寫的《2024-2029年(砷化鎵)半導體激光器件行業(yè)投資價值評估分析報告》顯示：

(砷化鎵)半導體激光器件市場競爭及前景研究

半導體激光器行業(yè)受益于快速增長的市場需求。隨著通信技術的發(fā)展，光纖通信的普及和5G網(wǎng)絡的建設，對高速、高效的光通信設備需求不斷增加。此外，醫(yī)療美容、材料加工、激光雷達等領域?qū)す馄鞯男枨笠苍诓粩鄶U大，推動了行業(yè)的發(fā)展。半導體激光器行業(yè)具有較快的技術創(chuàng)新速度和產(chǎn)品升級換代。隨著研發(fā)投入的增加和技術的不斷突破，新型的高功率、高效能、高穩(wěn)定性的半導體激光器產(chǎn)品不斷涌現(xiàn)。

我國半導體激光加工產(chǎn)業(yè)可以分為四個比較大產(chǎn)業(yè)帶，珠江三角洲、長江三角洲、華中地區(qū)和環(huán)渤海地區(qū)。這四個產(chǎn)業(yè)帶側(cè)重點不同，珠三角以中小功率激光加工機為主，長三角以大功率激光切割焊接設備為主，環(huán)渤海以大功率激光熔覆和全固態(tài)激光為主，以武漢為首的華中地區(qū)則覆蓋了大、中、小激光加工設備。

半導體激光器行業(yè)受益于快速增長的市場需求。隨著通信技術的發(fā)展，光纖通信的普及和5G網(wǎng)絡的建設，對高速、高效的光通信設備需求不斷增加。此外，醫(yī)療美容、材料加工、激光雷達等領域?qū)す馄鞯男枨笠苍诓粩鄶U大，推動了行業(yè)的發(fā)展。

半導體激光器行業(yè)具有較快的技術創(chuàng)新速度和產(chǎn)品升級換代。隨著研發(fā)投入的增加和技術的不斷突破，新型的高功率、高效能、高穩(wěn)定性的(砷化鎵)半導體激光器件產(chǎn)品不斷涌現(xiàn)。

砷化鎵是第二代半導體材料,主要用于無線通訊等領域。相較于常見的硅半導體,砷化鎵半導體具有高頻、抗輻射、耐高電壓等特性,因此廣泛應用在主流的商用無線通訊、光通訊以及先進的國防、航空及衛(wèi)星用途上,其中無線通訊的普及更是催生砷化鎵代工經(jīng)營模式的重要推手。以手機與無線網(wǎng)路(Wi-Fi)為例,系統(tǒng)中的無線射頻模組必定含有的關鍵零組件即是功率放大器(Power Amplifier)、射頻開關器(RF Switch)及低雜訊放大器(Low Noise Amplifier)等,目前射頻功率放大器極大部分是以砷化鎵半導體制作。

目前，半導體激光器的最大應用是作為光纖激光器和固體激光器的泵浦源。作為光纖激光器泵源的半導體激光器，提高單元功率能夠從根本上簡化泵浦系統(tǒng)的結構或提高泵浦功率水平。隨著光纖激光器和固體激光器輸出功率越來越高，對半導體泵浦源的功率也提出了更高的要求。

半導體激光器上游主要是芯片、特種光纖、光柵、激光晶體等產(chǎn)品。從產(chǎn)業(yè)鏈上游來看，目前芯片、特種光纖、光柵、激光晶體等上游零部件仍被貳陸、lumentum、美國光譜物理等國外廠商壟斷，國內(nèi)雖然涌現(xiàn)了瑞波光電、長光華芯、福晶科技，但國內(nèi)企業(yè)從產(chǎn)品豐富程度到技術水平還普遍存在著一定差距，產(chǎn)業(yè)對外依存度仍然存在，國內(nèi)半導體激光器產(chǎn)業(yè)整體上游供應商議價能力較弱。

(砷化鎵)半導體激光器件行業(yè)市場競爭

日本企業(yè)在全球半導體激光器市場中占據(jù)領先地位，主要得益于其在半導體材料、芯片制造、封裝技術等方面的優(yōu)勢，以及其在通信、顯示、醫(yī)療等領域的穩(wěn)定客戶基礎。代表性的日本企業(yè)有索尼、日亞化學、三菱電機、日立等。

美國企業(yè)在全球半導體激光器市場中也有較強的競爭力，主要得益于其在高功率半導體激光器、可調(diào)諧半導體激光器等方面的技術創(chuàng)新，以及其在工業(yè)、軍事等領域的優(yōu)勢地位。代表性的美國企業(yè)有II-VI公司、Lumentum、Coherent、IPG光電等。

中國企業(yè)在全球半導體激光器市場中也有一定的影響力，主要得益于其在低功率半導體激光器方面的成本優(yōu)勢，以及其在國內(nèi)市場的快速發(fā)展。代表性的中國企業(yè)有福晶科技、長光華芯、光庫科技、奧普光電等。

其他國家和地區(qū)的企業(yè)在全球半導體激光器市場中也有一定的份額，主要包括德國、韓國、臺灣等。代表性的企業(yè)有德國的OSRAM、韓國的LGInnotek、臺灣的晶元光電等。

(砷化鎵)半導體激光器件行業(yè)前景

國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展離不開政策扶持和幫助，不管是從國際競爭的角度考慮，還是為了盡快從疫情中復蘇，通過政策手段支撐集成電路產(chǎn)業(yè)穩(wěn)步發(fā)展至關重要。

2020年以來，國內(nèi)多條與集成電路產(chǎn)業(yè)相關的政策出臺。具體來看，2020年3月，工信部、發(fā)改委、財政部、稅務總局四部門聯(lián)合發(fā)布通知，為深入推進行政審批制度改革，決定廢止《集成電路設計企業(yè)認定管理辦法》將為集成電路設計企業(yè)帶來直接利好。

隨著新一輪科技革命與產(chǎn)業(yè)變革的推進，我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展勢頭更趨積極，市場規(guī)模進一步擴張，產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)逐步發(fā)展壯大。

砷化鎵半導體因其材料特性而成為無線通訊、光通訊以及先進的國防、航空及衛(wèi)星之重要關鍵組件,亦同時建構不同于硅等其他半導體之晶圓代工技術、設計流程與驗證模式以滿足無線通訊系統(tǒng)的快速發(fā)展,進而維持其領域之獨占性與獨特性。

根據(jù)Yole預計,2018-2024年,全球砷化鎵元件市場規(guī)模年均復合增長速度為10%,其中微電子領域為CAGR為3%,光電子領域CAGR為54%。到2024年,全球砷化鎵元件市場規(guī)模將達到157.1億美元。

在激烈的市場競爭中，企業(yè)及投資者能否做出適時有效的市場決策是制勝的關鍵。中研網(wǎng)撰寫的(砷化鎵)半導體激光器件行業(yè)報告對中國(砷化鎵)半導體激光器件行業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀、競爭格局及市場供需形勢進行了具體分析，并從行業(yè)的政策環(huán)境、經(jīng)濟環(huán)境、社會環(huán)境及技術環(huán)境等方面分析行業(yè)面臨的機遇及挑戰(zhàn)。同時揭示了市場潛在需求與潛在機會，為戰(zhàn)略投資者選擇恰當?shù)耐顿Y時機和公司領導層做戰(zhàn)略規(guī)劃提供準確的市場情報信息及科學的決策依據(jù)，同時對政府部門也具有極大的參考價值。

想了解關于更多(砷化鎵)半導體激光器件行業(yè)專業(yè)分析，可點擊查看中研普華研究院撰寫的《2024-2029年(砷化鎵)半導體激光器件行業(yè)投資價值評估分析報告》。同時本報告還包含大量的數(shù)據(jù)、深入分析、專業(yè)方法和價值洞察，可以幫助您更好地了解行業(yè)的趨勢、風險和機遇。

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  2024-2029年（砷化鎵）半導體激光器件行業(yè)投資價值評估分析報告

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