2024年功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)分析報(bào)告

• 陳觀秋 2024年3月7日 來(lái)源：百度 921 57
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功率半導(dǎo)體器件的性能正在不斷提升，例如IGBT、MOSFET、SiC等功率半導(dǎo)體器件的性能得到了顯著提升。同時(shí)，行業(yè)內(nèi)企業(yè)也在加大研發(fā)投入，推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新，為行業(yè)發(fā)展注入新的動(dòng)力。這些技術(shù)創(chuàng)新的推動(dòng)，將有助于功率半導(dǎo)體行業(yè)實(shí)現(xiàn)更高水平的發(fā)展。

近年來(lái)，功率半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域已從工業(yè)控制和消費(fèi)電子拓展至新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)等市場(chǎng)，市場(chǎng)規(guī)模呈現(xiàn)穩(wěn)健增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。

一、功率半導(dǎo)體行業(yè)概述

功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換。

功率半導(dǎo)體上游為各類原材料及半導(dǎo)體設(shè)備;中游包括二極管、晶體管、晶閘管、AC/DC轉(zhuǎn)換器、DC/DC變換器、電源管理芯片、驅(qū)動(dòng)芯片等;下游應(yīng)用于消費(fèi)電子、新能源汽車、光伏產(chǎn)業(yè)、工業(yè)控制、智能電網(wǎng)、家用電器、軌道交通等領(lǐng)域。

二、功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀

中國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)仍處于起步階段，國(guó)內(nèi)企業(yè)在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域市場(chǎng)份額相對(duì)較低，新潔能和士蘭微市場(chǎng)份額上升較快?？傮w呈現(xiàn)產(chǎn)業(yè)鏈完整、廠家多、發(fā)展迅速等特點(diǎn)。

國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體已在眾多領(lǐng)域應(yīng)用，特別是低端產(chǎn)品，如二極管、三極管、晶閘 管、低壓 MOSFET(非車規(guī))等，已初現(xiàn)“規(guī)?；?yīng)、國(guó)產(chǎn)化率相對(duì)較高”等特 點(diǎn)。在中高端領(lǐng)域，如 SJ MOSFET、IGBT、碳化硅等，特別是車規(guī)產(chǎn)品，由于起步 晚、工藝相對(duì)復(fù)雜以及缺乏車規(guī)驗(yàn)證機(jī)會(huì)等問(wèn)題，國(guó)內(nèi)廠家依然在追隨海外廠家技術(shù) 發(fā)展路線。但近年來(lái)，市場(chǎng)逐漸從依賴進(jìn)口向國(guó)內(nèi)自給自足轉(zhuǎn)變，國(guó)產(chǎn)替代潛力大。

據(jù)中研產(chǎn)業(yè)研究院《2024-2029年功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)分析報(bào)告》分析：

受益于國(guó)家和地方政府的鼓勵(lì)政策， 國(guó)內(nèi)電動(dòng)汽車與充電樁、光伏與儲(chǔ)能等領(lǐng)域需求增長(zhǎng)，功率半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)格局有望被重 塑——國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程有望加速。

功率半導(dǎo)體行業(yè)是電子制造業(yè)的核心組成部分，尤其在新能源汽車、風(fēng)電、光伏、軌道交通等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。這些領(lǐng)域的快速發(fā)展，無(wú)疑為功率半導(dǎo)體行業(yè)帶來(lái)了巨大的市場(chǎng)需求和發(fā)展空間。

三、功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)

從政策支持來(lái)看，國(guó)家對(duì)于半導(dǎo)體行業(yè)的支持政策，包括產(chǎn)業(yè)政策、投資政策、稅收政策等，都將對(duì)功率半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)生積極的影響，為行業(yè)發(fā)展創(chuàng)造良好的環(huán)境。特別是《“十四五”規(guī)劃》中提出的集中優(yōu)勢(shì)資源攻關(guān)關(guān)鍵元器件零部件等領(lǐng)域關(guān)鍵核心技術(shù)，更是為功率半導(dǎo)體行業(yè)未來(lái)的發(fā)展指明了方向。

從技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)來(lái)看，功率半導(dǎo)體器件的性能正在不斷提升，例如IGBT、MOSFET、SiC等功率半導(dǎo)體器件的性能得到了顯著提升。同時(shí)，行業(yè)內(nèi)企業(yè)也在加大研發(fā)投入，推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新，為行業(yè)發(fā)展注入新的動(dòng)力。這些技術(shù)創(chuàng)新的推動(dòng)，將有助于功率半導(dǎo)體行業(yè)實(shí)現(xiàn)更高水平的發(fā)展。

功率半導(dǎo)體分立器件為半導(dǎo)體行業(yè)的主要組成部分，更是發(fā)電、輸電、變配電、用電、儲(chǔ)能、家用電器、IT產(chǎn)品、網(wǎng)絡(luò)通訊等領(lǐng)域的基礎(chǔ)核心部件，隨著物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、新能源、節(jié)能環(huán)保等電子信息產(chǎn)業(yè)新領(lǐng)域的發(fā)展，中高階的功率半導(dǎo)體器件也將迎來(lái)新一輪的發(fā)展高峰。

據(jù) Yole 數(shù)據(jù)預(yù)測(cè)，至 2025 年，全球功率半導(dǎo)體分立器件和模塊的市場(chǎng)規(guī)模將 分別達(dá)到 76 億美元和 113 億美元。

功率半導(dǎo)體行業(yè)研究報(bào)告旨在從國(guó)家經(jīng)濟(jì)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的戰(zhàn)略入手，分析功率半導(dǎo)體未來(lái)的政策走向和監(jiān)管體制的發(fā)展趨勢(shì)，挖掘功率半導(dǎo)體行業(yè)的市場(chǎng)潛力，基于重點(diǎn)細(xì)分市場(chǎng)領(lǐng)域的深度研究，提供對(duì)產(chǎn)業(yè)規(guī)模、產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)、區(qū)域結(jié)構(gòu)、市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)、產(chǎn)業(yè)盈利水平等多個(gè)角度市場(chǎng)變化的生動(dòng)描繪，清晰發(fā)展方向。預(yù)測(cè)未來(lái)功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的市場(chǎng)前景，以幫助客戶撥開政策迷霧，尋找功率半導(dǎo)體行業(yè)的投資商機(jī)。

想要了解更多功率半導(dǎo)體行業(yè)詳情分析，可以點(diǎn)擊查看中研普華研究報(bào)告《2024-2029年功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)分析報(bào)告》。

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