半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)預(yù)計(jì),今年全球半導(dǎo)體的銷售額將達(dá)到5530億美元,創(chuàng)下新高,同比增長(zhǎng)25.6%。對(duì)于2022年,SIA預(yù)計(jì)全球半導(dǎo)體的銷售額仍將保持增長(zhǎng),但增速會(huì)放緩,預(yù)計(jì)同比增長(zhǎng)8.8%,銷售額達(dá)到6015億美元,將再創(chuàng)新高。
SIA預(yù)計(jì)今年全球半導(dǎo)體銷售額達(dá)5530億美元
據(jù)報(bào)道,半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)預(yù)計(jì),今年全球半導(dǎo)體的銷售額將達(dá)到5530億美元,創(chuàng)下新高,同比增長(zhǎng)25.6%。對(duì)于2022年,SIA預(yù)計(jì)全球半導(dǎo)體的銷售額仍將保持增長(zhǎng),但增速會(huì)放緩,預(yù)計(jì)同比增長(zhǎng)8.8%,銷售額達(dá)到6015億美元,將再創(chuàng)新高。此外,數(shù)據(jù)顯示,10月份全球半導(dǎo)體銷售額增至448億美元,去年同期為394億美元,同比增長(zhǎng)24%,環(huán)比增長(zhǎng)1.1%。
另外根據(jù)SEMI的報(bào)告,今年全球半導(dǎo)體硅片出貨面積將創(chuàng)下新高,達(dá)到140億平方英寸,同比增長(zhǎng)13.9%。未來(lái)三年,半導(dǎo)體硅片出貨量有望繼續(xù)逐年持續(xù)創(chuàng)下新高。預(yù)計(jì)最快明年下半年、最遲2023年起,大尺寸半導(dǎo)體硅片就將供不應(yīng)求。
據(jù)中研產(chǎn)業(yè)研究院報(bào)告《2022-2026年中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局及發(fā)展趨勢(shì)預(yù)測(cè)報(bào)告》分析
半導(dǎo)體是許多工業(yè)整機(jī)設(shè)備的核心,普遍應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、通信、消費(fèi)電子、汽車、工業(yè)/醫(yī)療、軍事/政府等核心領(lǐng)域。半導(dǎo)體主要由四個(gè)組成部分組成:集成電路(約占81%),光電器件(約占10%),分立器件(約占6%),傳感器(約占3%),因此通常將半導(dǎo)體和集成電路等價(jià)。半導(dǎo)體按照產(chǎn)品種類又主要分為四大類:微處理器(約占18%),存儲(chǔ)器(約占23%),邏輯器件(約占27%),模擬器件(約占13%)。
半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)是對(duì)信息安全、國(guó)民經(jīng)濟(jì)極其重要的戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)。與國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的龐大需求相比,國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體芯片體量仍然較小,我國(guó)大部分芯片需要從歐美國(guó)家進(jìn)口,信息安全存巨大隱患。而且半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨核心技術(shù)缺失、自主創(chuàng)新無(wú)力、人才匱乏、融資瓶頸等問(wèn)題。
無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。今日大部分的電子產(chǎn)品,如計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話或是數(shù)字錄音機(jī)當(dāng)中的核心單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)聯(lián)。常見的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等,而硅更是各種半導(dǎo)體材料中,在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種。
近些年,在全球半導(dǎo)體設(shè)備消費(fèi)市場(chǎng)中,中國(guó)大陸,中國(guó)臺(tái)灣,韓國(guó)這三大市場(chǎng)一直排在前三位。其中,中國(guó)大陸最具發(fā)展?jié)摿Γ瑥那靶┠甑牡谌?,到最近一年的第二,一直處于上升態(tài)勢(shì)。盡管受疫情的影響,半導(dǎo)體行業(yè)及半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)依然逆勢(shì)增長(zhǎng)。存儲(chǔ)器支出回升、先進(jìn)制程投資及中國(guó)大陸積極推動(dòng)半導(dǎo)體投資的背景下,2020年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額約達(dá)690億美元,年增16%寫下新紀(jì)錄,預(yù)期今年將再成長(zhǎng)逾10%并突破760億美元,而且有機(jī)會(huì)加速成長(zhǎng)并突破800億美元。
二十一世紀(jì)以來(lái),以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)、金剛石為四大代表的第三代半導(dǎo)體材料開始初露頭角。第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的導(dǎo)熱率、更高的抗輻射能力、更大的電子飽和漂移速率等特性。第三代半導(dǎo)體材料可以實(shí)現(xiàn)更好的電子濃度和運(yùn)動(dòng)控制,更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率電子器件,在光電子和微電子領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價(jià)值。目前,市場(chǎng)火熱的5G基站、新能源汽車和快充等都是第三代半導(dǎo)體的重要應(yīng)用領(lǐng)域。
盡管全國(guó)已布局第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目眾多,但由于產(chǎn)線建設(shè)調(diào)試周期較長(zhǎng)、項(xiàng)目爛尾等問(wèn)題,真正量產(chǎn)的并不多;加之下游應(yīng)用市場(chǎng)增長(zhǎng),國(guó)內(nèi)現(xiàn)有產(chǎn)品商業(yè)化供給是無(wú)法滿足市場(chǎng)需求,尤其是SiC電力電子器件和GaN射頻器件存在較大缺口,且國(guó)內(nèi)企業(yè)產(chǎn)品成本、性能等方面競(jìng)爭(zhēng)力不足,因此,我國(guó)第三代半導(dǎo)體各環(huán)節(jié)國(guó)產(chǎn)化率較低,有數(shù)據(jù)顯示,目前超過(guò)八成的產(chǎn)品依賴進(jìn)口。
想要了解更多半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展前景,請(qǐng)查閱《2022-2026年中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局及發(fā)展趨勢(shì)預(yù)測(cè)報(bào)告》。
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