2023第三代半導體行業(yè)前景及現(xiàn)狀分析報告

• 劉明月 2023年3月27日 來源：百度百科 中研網 814 49
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未來第三代半導體行業(yè)市場前景在哪?第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的導熱率、更高的抗輻射能力、更大的電子飽和漂移速率等特性。第三代半導體材料可以實現(xiàn)更好的電子濃度和運動控制 ，更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率電子器件

未來第三代半導體行業(yè)市場前景在哪?第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的導熱率、更高的抗輻射能力、更大的電子飽和漂移速率等特性。第三代半導體材料可以實現(xiàn)更好的電子濃度和運動控制 ，更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率電子器件，在光電子和微電子領域具有重要的應用價值。目前，市場火熱的5G基站、新能源汽車和快充等都是第三代半導體的重要應用領域。

2023第三代半導體行業(yè)前景及現(xiàn)狀分析報告

第三代半導體行業(yè)加速發(fā)展，新能源產業(yè)鏈為增長驅動核心競爭力。盡管第三代半導體發(fā)現(xiàn)時間很早，但受制于成本和產業(yè)鏈不成熟等因素并未實現(xiàn)大規(guī)模商業(yè)化落地，2019年，以GaN-on-SiC等射頻器件的推廣，對設備開發(fā)，襯底和外延技術的推動形成了正向反饋。同時Wolfspeed已完成8英寸SiC襯底片的流片，6英寸產業(yè)鏈大規(guī)模商業(yè)化落地已逐步成型。

我國發(fā)展第三代半導體也被寫入 " 十四五 " 規(guī)劃。規(guī)劃要求，要加強原創(chuàng)性引領性科技攻關。其中，在集成電路層面，包括集成電路設計工具、重點裝備和高純靶材等關鍵材料研發(fā)，集成電路先進工藝和絕緣柵雙極型晶體管 ( IGBT ) 、微機電系統(tǒng) ( MEMS ) 等特色工藝突破，先進存儲技術升級，碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導體發(fā)展。

全球范圍內，美國、歐洲、日本、中國在第三代半導體發(fā)展上處于“四足鼎立”狀態(tài)。當前，國內第三代半導體產業(yè)發(fā)展得如火如荼，在現(xiàn)代工業(yè)、通信等領域都有巨大的應用前景。蘇州、長沙、合肥、南昌等地都在布局半導體產業(yè)園，希望提高在全球的競爭力。

同時SiC功率器件廣泛用于新能源汽車、光伏、軌道交通等領域，未來市場增速能夠得到保證。同時國內市場也有多家企業(yè)布局SiC產業(yè)，未來市場競爭格局將持續(xù)深化。

預計27年市場空間將超過60億美元。僅碳化硅器件中的功率器件的市場規(guī)模將從2021年的10.90億美金增長至2027年的62.97億美金，復合年增長率約34%。

第三代半導體材料是指帶隙寬度達到2.0-6.0eV的寬禁帶半導體材料，包括了碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，是制造高壓大功率電力電子器件的突破性材料。相比硅基，SiC材料在熱導率、開關頻率、電子遷移率和擊穿場強均具備優(yōu)勢，因此SiC材料具備更高效率和功率密度。從產業(yè)鏈來看，襯底是價值鏈核心，在成本SICSBD器件中，襯底價值量占比達到47%。

從第三代半導體細分行業(yè)來看，新能源產業(yè)鏈和充電基礎設施將為增長最快領域。SiC器件主要應用在車載充電器、DC/DC轉換器和主驅逆變器上。在2017年之前車載充電器主要以SiCSBD為主，而在2017年后SiCSBD和SiCMOSFET的方案已經成熟。DC/DC轉換器也由SiMOSFET逐漸變成以SiCMOSFET為主。

近年來，以碳化硅、氮化鎵為主的第三代半導體材料需求爆發(fā)，成為資本市場追逐的對象。如今，以氧化鎵為代表的第四代半導體材料的閃亮登場，有望成為半導體賽道的新風口，相關A股公司也已搶先布局。

SiC功率器件主要應用于主驅逆變器、OBC、DC/DC車載電源轉換器和大功率DC/DC充電器領域。隨著未來800V電壓平臺推出，在大功率，大電流條件下減少損耗、增大效率和減小器件尺寸，電機控制器的主驅逆變器將不可避免從硅基IGBT替換為SiC基MOS模塊，存量替代市場空間巨大。特斯拉(Tesla)在2018年，將Model3車型的主驅動逆變器中已經使用了SiCMOSFET，將SiIGBT替換為。

SiC器件后，新能源汽車逆變器效率可以大幅提升，相同續(xù)航下對電池容量需求降低，以及實現(xiàn)系統(tǒng)冷卻體積和重量的優(yōu)化，有效降低SiC器件本身帶來的成本增加。SiC功率器件主要應用于主驅逆變器、OBC、DC/DC車載電源轉換器和大功率DC/DC充電器領域。隨著未來800V電壓平臺推出，在大功率，大電流條件下減少損耗、增大效率和減小器件尺寸，電機控制器的主驅逆變器將不可避免從硅基IGBT替換為SiC基MOS模塊，存量替代市場空間巨大。

碳化硅功率元件下游市場中以汽車為最大應用，另外可再生能源、工業(yè)市場亦相當重要，預計今年碳化硅功率元件市場規(guī)模將達到15.9億美元，至2026年可攀升至53.0億美元。第三代半導體下游市場則以消費電子為主，數(shù)據(jù)中心與通訊以及后續(xù)的汽車應用同樣頗具潛力，預計今年氮化鎵功率元件市場規(guī)模有望達到2.6億美元，至2026年可成長至17.7億美元。

中國SiC、GaN電力電子器件主要應用于新能源汽車、消費類電源和工商業(yè)電源應用。在消費電子方面，GaN快充電源作為新應用帶來較大的市場，小米、OPPO、華為等手機廠商相繼推出GaN快充。在新能源汽車方面，比亞迪、吉利、一汽集團、江淮汽車、長城汽車等車企都在新能源汽車中采用SiC。SiC電力電子器件正加速進軍軌道交通領域。GaN射頻器件主要應用在軍工雷達和5G基站，華為、諾基亞、中興的多數(shù)5G基站已采用GaN的PA器件。

我國第三代半導體整體產值超7100億元，2023年第三代半導體材料滲透率有望接近5%。2023年第一季度，中國半導體市場銷售額在下降8%的情況下，依舊是最大的半導體市場，占全球半導體市場的29%。中國市場的恢復，必然會帶動全球半導體產業(yè)鏈的回溫。

中研研究院出版的第三代半導體行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

一、中國第三代半導體行業(yè)市場規(guī)模

二、中國第三代半導體行業(yè)發(fā)展分析

三、中國第三代半導體企業(yè)發(fā)展分析

第三代半導體行業(yè)報告還對全球的行業(yè)發(fā)展態(tài)勢作了詳細分析，并對行業(yè)進行了趨向研判，是經營企業(yè)，服務、投資機構等單位準確了解目前行業(yè)發(fā)展動態(tài)，把握第三代半導體行業(yè)企業(yè)定位和發(fā)展方向不可多得的精品，對中國及各子行業(yè)的發(fā)展狀況、上下游行業(yè)發(fā)展狀況、競爭替代產品、第三代半導體行業(yè)發(fā)展趨勢、新產品與技術等進行了分析，并重點分析了中國行業(yè)發(fā)展狀況和特點，以及中國第三代半導體行業(yè)將面臨的挑戰(zhàn)、企業(yè)的發(fā)展策略等。

第三代半導體市場調研如何?中研研究院對該行業(yè)作了詳盡深入的分析，是企業(yè)進行市場研究工作時不可或缺的重要參考資料，同時也可作為相關機構進行潛力分析、發(fā)展分析、投資分析等研究工作時的參考依據(jù)。更多行業(yè)具體詳情可以點擊查看中研普華產業(yè)研究院的報告《2020-2025年中國第三代半導體行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析與投資前景預測研究報告》。

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