市場規(guī)模增長來自訂單數(shù)量增長和產(chǎn)品價(jià)格提升的疊加效應(yīng)。隨著下游行業(yè)蓬勃發(fā)展,尤其是新興應(yīng)用場景的出現(xiàn),半導(dǎo)體需求不斷增長,帶來上游半導(dǎo)體材料需求量增加,而半導(dǎo)體生產(chǎn)仍舊以晶圓為核心。
在全球芯片制程愈發(fā)精細(xì)化的趨勢(shì)下,半導(dǎo)體晶圓的尺寸卻不斷擴(kuò)大。主流晶圓尺寸已經(jīng)從 4 英寸、6 英寸,發(fā)展到現(xiàn)階段的 8 英寸、12 英寸。晶圓的尺寸越大,能切割出的芯片數(shù)量越多,而且邊角浪費(fèi)相對(duì)較少。尤其是代表芯片最高水平的12英寸半導(dǎo)體具有生產(chǎn)效率高、成本低的優(yōu)勢(shì),在現(xiàn)代電子設(shè)備制造等高科技領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。
晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能的集成電路產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅,而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。
根據(jù)中研普華產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2023-2028年中國晶圓加工行業(yè)市場深度分析及發(fā)展?jié)摿ρ芯孔稍儓?bào)告》顯示:
晶圓制造是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最關(guān)鍵、市場份額最大的核心環(huán)節(jié)。晶圓是指制作硅半導(dǎo)體電路所用的硅晶片,隨著半導(dǎo)體特征尺寸越來越小,加工及測(cè)量設(shè)備越來越先進(jìn),使得晶圓加工出現(xiàn)了新的數(shù)據(jù)特點(diǎn)。晶圓的主要加工方式為片加工和批加工,即同時(shí)加工1 片或多片晶圓。
2021 年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模達(dá)到 1030 億美元 隨著全球半導(dǎo)體市場的繁榮發(fā)展,半導(dǎo)體設(shè)備需求也在增長。全球半導(dǎo)體設(shè)備市場中,晶圓制造設(shè)備市場規(guī)模占比超過 85%,而封裝和測(cè)試設(shè)備市場規(guī)模占比均在 7% 左右。
2023晶圓加工行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及市場潛力研究
半導(dǎo)體是現(xiàn)代科技的基礎(chǔ),是信息時(shí)代的核心產(chǎn)業(yè)之一。我國一直以來都在大力支持國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,并相繼出臺(tái)了一系列政策推動(dòng)產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。憑借巨大的市場需求、豐富的人口紅利、穩(wěn)定的經(jīng)濟(jì)增長及有利的產(chǎn)業(yè)政策環(huán)境等眾多優(yōu)勢(shì)條件,中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)了快速發(fā)展。
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)需要的材料紛繁復(fù)雜,其中最基礎(chǔ)的就是晶圓。絕大部分半導(dǎo)體產(chǎn)品都必須以晶圓為襯底,經(jīng)過復(fù)雜的加工之后才能制造出來,晶圓的物理性質(zhì)直接決定了最終產(chǎn)品的性質(zhì)和性能。
從市場前景來看,市場規(guī)模增長來自訂單數(shù)量增長和產(chǎn)品價(jià)格提升的疊加效應(yīng)。隨著下游行業(yè)蓬勃發(fā)展,尤其是新興應(yīng)用場景的出現(xiàn),半導(dǎo)體需求不斷增長,帶來上游半導(dǎo)體材料需求量增加,而半導(dǎo)體生產(chǎn)仍舊以晶圓為核心。
晶圓加工上游為各種原材料,包括二氧化硅、石英砂、光刻膠等;中游分為單晶硅片和多晶硅片;下游包括消費(fèi)電子、半導(dǎo)體、光伏電池、工業(yè)電子、二極管等。
作為半導(dǎo)體生產(chǎn)流程的直接生產(chǎn),晶圓加工步驟眾多,設(shè)備要求極高,雖然國內(nèi)具備完整生產(chǎn)能力,受限于高端設(shè)備和技術(shù)封鎖,高端產(chǎn)品仍未突破,其中光刻、離子注入和拋光(拋光墊)等工藝設(shè)備國內(nèi)尚未突破。
隨著科技的快速發(fā)展,激光技術(shù)的應(yīng)用邊界不斷拓展,尤其在高端制造領(lǐng)域,作為加工工具,激光對(duì)于確保半導(dǎo)體芯片的性能起著重要作用。晶圓機(jī)械切割的熱影響和崩邊寬度約20微米,傳統(tǒng)激光在10微米左右,經(jīng)過一年努力,華工科技半導(dǎo)體晶圓切割技術(shù)成功實(shí)現(xiàn)升級(jí),熱影響降為0,崩邊尺寸降至5微米以內(nèi),切割線寬可做到10微米以內(nèi)。
晶圓生產(chǎn)成本投資額中,晶圓設(shè)備通常占比總晶圓項(xiàng)目投資額8成左右,以國內(nèi)最大的代工廠中芯國際為例,其12英寸芯片SN1項(xiàng)目的總投資額中生產(chǎn)設(shè)備購置及安裝費(fèi)占比80.9%。從臺(tái)積電單片晶圓成本來看,主要成本是折舊費(fèi)用,占比近5成,除此之外專利費(fèi)用也是較大成本占比??傮w來看,晶圓生產(chǎn)中設(shè)備及技術(shù)專利等占據(jù)主要成本。
臺(tái)積電作為全球最大晶圓代工廠,占據(jù)全球8成以上先進(jìn)制程市場份額,特色工藝由于同等節(jié)點(diǎn)開發(fā)時(shí)間較早,技術(shù)領(lǐng)先疊加工藝庫全,配合開發(fā)周期短,工藝穩(wěn)定性相對(duì)更高,2021年占據(jù)全球50%以上市場份額,三星雖然同樣具備生產(chǎn)尖端制程的能力。國內(nèi)龍頭中芯國際技術(shù)水平僅達(dá)到14nm制程,技術(shù)仍有較大追趕空間。
就利潤對(duì)比而言,臺(tái)積電利潤遠(yuǎn)高于其他競爭對(duì)手,2021年毛利率51.6%,凈利率37.4%;相比之下,聯(lián)電毛利率33.8%,凈利率26.5%,中芯國際毛利率30.79%,凈利率32.61%。
晶圓行業(yè)下游市場呈現(xiàn)專業(yè)分工深度細(xì)化、細(xì)分領(lǐng)域高度集中的特點(diǎn)。2020年“以國內(nèi)大循環(huán)為主體、國內(nèi)國際雙循環(huán)相互促進(jìn)的新發(fā)展格局”正式提出,根本要求是提升供給體系的創(chuàng)新力和關(guān)聯(lián)性,解決各類“卡脖子”和瓶頸問題,暢通國民經(jīng)濟(jì)循環(huán)。未來,我國在高端供應(yīng)鏈中不斷突破并掌握核心技術(shù),使中國制造業(yè)向高端供應(yīng)鏈攀爬,加速進(jìn)口替代,從而促進(jìn)行業(yè)進(jìn)一步發(fā)展。
本研究咨詢報(bào)告由中研普華咨詢公司領(lǐng)銜撰寫,在大量周密的市場調(diào)研基礎(chǔ)上,主要依據(jù)了國家統(tǒng)計(jì)局、國家商務(wù)部、國家發(fā)改委、國家經(jīng)濟(jì)信息中心、國務(wù)院發(fā)展研究中心、中國行業(yè)研究網(wǎng)、全國及海外多種相關(guān)報(bào)紙雜志的基礎(chǔ)信息等公布和提供的大量資料和數(shù)據(jù),客觀、多角度地對(duì)中國晶圓加工市場進(jìn)行了分析研究。報(bào)告在總結(jié)中國晶圓加工行業(yè)發(fā)展歷程的基礎(chǔ)上,結(jié)合新時(shí)期的各方面因素,對(duì)中國晶圓加工行業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)給予了細(xì)致和審慎的預(yù)測(cè)論證。
更多行業(yè)詳情請(qǐng)點(diǎn)擊中研普華產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2023-2028年中國晶圓加工行業(yè)市場深度分析及發(fā)展?jié)摿ρ芯孔稍儓?bào)告》。
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2023-2028年中國晶圓加工行業(yè)市場深度分析及發(fā)展?jié)摿ρ芯孔稍儓?bào)告
晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能的集成電路產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅,而地殼表面有...
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