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          南京打造第三代半導體產(chǎn)業(yè)基地 第三代半導體是什么意思 半導體行業(yè)未來預測

          據(jù)南京發(fā)布,7月19日至21日,2023世界半導體大會將在南京舉辦大會以“芯紐帶,新未來”為主題聚焦行業(yè)新市場、新產(chǎn)品、新技術積極探討未來發(fā)展方向與機遇促進全球半導體產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展。南京錨定產(chǎn)業(yè)強市建設戰(zhàn)略部署,將第三代半導體產(chǎn)業(yè)集群作為需積極搶占的六個未來

          南京打造第三代半導體產(chǎn)業(yè)基地

          據(jù)南京發(fā)布,7月19日至21日,2023世界半導體大會將在南京舉辦大會以“芯紐帶,新未來”為主題聚焦行業(yè)新市場、新產(chǎn)品、新技術積極探討未來發(fā)展方向與機遇促進全球半導體產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展。南京錨定產(chǎn)業(yè)強市建設戰(zhàn)略部署,將第三代半導體產(chǎn)業(yè)集群作為需積極搶占的六個未來產(chǎn)業(yè)新賽道之一,緊抓機遇,奮力打造國內(nèi)具有影響力的第三代半導體產(chǎn)業(yè)基地。

          第三代半導體是什么意思

          第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的導熱率、更高的抗輻射能力、更大的電子飽和漂移速率等特性。第三代半導體材料可以實現(xiàn)更好的電子濃度和運動控制 ,更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率電子器件,在光電子和微電子領域具有重要的應用價值。目前,市場火熱的5G基站、新能源汽車和快充等都是第三代半導體的重要應用領域。

          第三代半導體材料具有較好的電子密度和運動控制能力,更適用于制造高溫、高頻、抗輻射和大功率電子器件,在光電子和微電子領域具有重要的應用價值。目前,市場熱點5G基站、新能源車和快速充電是第三代半導體的重要應用場所。

          新一代信息技術與工業(yè)化深度融合加快,為集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展創(chuàng)造巨大空間。如北京市順義區(qū)已初步形成從裝備到材料、芯片、模組、封裝檢測及下游應用的產(chǎn)業(yè)鏈布局,集聚了泰科天潤、國聯(lián)萬眾、瑞能半導體等產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)20余家。論壇上,國聯(lián)萬眾碳化硅功率芯片二期等6個產(chǎn)業(yè)項目簽約,預計總投資近18億元。

          第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟等聯(lián)合發(fā)布倡議,聚焦重點市場需求,在新能源汽車、光伏儲能、新型顯示等領域推廣應用基于第三代半導體材料的“綠色芯”“健康芯”;聚焦產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新,共同組建創(chuàng)新聯(lián)合體,強化公共技術服務能力和標準化能力建設,形成產(chǎn)學研緊密合作、上下游鏈條打通、大中小企業(yè)共生發(fā)展的協(xié)同創(chuàng)新局面。

          此前商務部宣布對鎵、鍺相關物項實施出口管制,未經(jīng)許可不得出口。這兩種都是半導體行業(yè)中的關鍵材料之一,根據(jù)美國地質(zhì)調(diào)查局(USGS)公布的數(shù)據(jù),目前全球金屬鎵的儲量約為27.93萬噸,而中國的儲量最多,達到19萬噸,占全球儲量的68%左右。相比之下,美國的儲量還不到中國的1/40,只有0.45萬噸。

          據(jù)中研研究院《2023-2028年中國半導體行業(yè)深度調(diào)研及投資前景分析報告》顯示

          半導體行業(yè)未來預測

          伴隨著 5G、物聯(lián)網(wǎng)、新能源等行業(yè)的迅速發(fā)展,具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、熱導率、電子飽和速率及抗輻射能力的碳化硅、氮化鎵等為代表的第三代半導體材料進入快速發(fā)展階段,市場前景廣闊。中國國內(nèi) MOSFET 市場規(guī)模為 46.6 億美元,預計到 2025 年將達到 64.7 億美元,復合增長率為 8.55%,增速高于全球市場。

          我國發(fā)展第三代半導體也被寫入 " 十四五 " 規(guī)劃。規(guī)劃要求,要加強原創(chuàng)性引領性科技攻關。其中,在集成電路層面,包括集成電路設計工具、重點裝備和高純靶材等關鍵材料研發(fā),集成電路先進工藝和絕緣柵雙極型晶體管 ( IGBT ) 、微機電系統(tǒng) ( MEMS ) 等特色工藝突破,先進存儲技術升級,碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導體發(fā)展。

          當前,國內(nèi)第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展得如火如荼,在現(xiàn)代工業(yè)、通信等領域都有巨大的應用前景。蘇州、長沙、合肥、南昌等地都在布局半導體產(chǎn)業(yè)園,希望提高在全球的競爭力。

          半導體行業(yè)協(xié)會 (SIA)公布數(shù)據(jù)顯示,2023年5月全球半導體行業(yè)銷售額總計407億美元,比2023年4月的400億美元總額增長1.7%。SIA總裁兼執(zhí)行長John Neuffer表示,市況相較2022年仍低迷,但全球芯片銷售額已連續(xù)三個月小幅上升,激起人們對市場在下半年反彈的樂觀情緒。

          從產(chǎn)量來看,中國產(chǎn)量占比全球鎵產(chǎn)量最高。德國和哈薩克斯坦分別于2016年和2013年停止了鎵生產(chǎn),不過2021年德國宣布將在年底前重啟初級鎵生產(chǎn),匈牙利和烏克蘭分別于2015年和2019年停止鎵生產(chǎn)。目前中國鎵占比全球鎵產(chǎn)量持續(xù)提升,截止2021年,占比全球鎵產(chǎn)量已超90%。

          從半導體行業(yè)市場空間來看,國內(nèi)半導體行業(yè)市場較為廣闊。目前,全球半導體銷售額超過5000億美金,市場空間較大,龍頭公司普遍市值高達千億美金。

          國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)具有政策大力支持、下游廣闊市場和工程師紅利三重優(yōu)勢,考慮到目前國產(chǎn)化率僅不到10%,半導體行業(yè)市場普遍預測我國半導體行業(yè)未來5年有望實現(xiàn)15%CAGR增長。

          從半導體行業(yè)投資階段分布來看,出于規(guī)避風險的考慮以及對于資本回報率的要求,擴張期企業(yè)依舊更受資本的關注。2022年下半年擴張期投資數(shù)量為793起,占比45%;投資總額為39.02億美元,占比47%。PIPE(定增)企業(yè)的投資金額占比環(huán)比出現(xiàn)一定幅度的上升,由于定增在市場發(fā)行價格上一般會有一定折扣率,在市場整體低迷的情況下,更會被資本關注。

          由于我國對于大力發(fā)展科技的政策鼓勵以及深化改革創(chuàng)新的加快推動,科技行業(yè)在各個階段都受到資本的青睞,在初創(chuàng)期、擴張期、成熟期的企業(yè)的投資數(shù)量占比均持續(xù)上升,不過投資金額占比較上半年小幅下降。

          全球半導體市場急劇增長,主要來源于電腦等電子產(chǎn)品需求增長、手機和車用市場應用需求增加等,加上中美貿(mào)易摩擦的轉(zhuǎn)單效應,使晶圓代工廠產(chǎn)能出現(xiàn)供不應求的局面。中國臺灣晶圓代工產(chǎn)值加速上漲增速達到24.2%,增速雖有放緩,但仍高達19.1%。

          全球收入排名前十的半導體公司,分別是三星、英特爾、SK海力士、高通、美光、博通、AMD、德州儀器、聯(lián)發(fā)科、蘋果。

          2021-2025 年全球半導體功率器件市場將由 259 億美元增至 357 億美元,年復合增速約為 8.4%。其中,MOSFET(含模塊)2021 年市場規(guī)模約為 104 億美元,總體趨于穩(wěn)定,至 2025 年,占比預計達 29%;IGBT(含模塊)2025 年市場規(guī)模將快速增至 136 億美元,占比約為 38%,2021-2025 年年復合增長率約為 12.8%;全球 SiC 功率器件 2025 年市場規(guī)模約 43 億美元,2021 年至 2025 年復合增長率約為 42%。

          更多行業(yè)消息,請點擊中研研究院出版的《2023-2028年中國半導體行業(yè)深度調(diào)研及投資前景分析報告》。

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