IGBT行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢(shì)報(bào)告 IGBT行業(yè)投資價(jià)值

• 吳亞楠 2023年9月14日 來(lái)源：互聯(lián)網(wǎng) 785 47
• 繁體

作為電力電子重要大功率主流器件之一，IGBT已經(jīng)廣泛應(yīng)用于家用電器、交通運(yùn)輸、電力工程、可再生能源和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。

作為電力電子重要大功率主流器件之一，IGBT已經(jīng)廣泛應(yīng)用于家用電器、交通運(yùn)輸、電力工程、可再生能源和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。在工業(yè)應(yīng)用方面，如交通控制、功率變換、工業(yè)電機(jī)、不間斷電源、風(fēng)電與太陽(yáng)能設(shè)備，以及用于自動(dòng)控制的變頻器。在消費(fèi)電子方面，IGBT用于家用電器、相機(jī)和手機(jī)。

IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn);當(dāng)前市場(chǎng)上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品，一般所說(shuō)的IGBT也指IGBT模塊;隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn)，此類產(chǎn)品在市場(chǎng)上將越來(lái)越多見(jiàn)。

根據(jù)中研普華研究院撰寫(xiě)的《2023-2028年中國(guó)IGBT行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢(shì)預(yù)測(cè)報(bào)告》顯示：

IGBT行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢(shì)報(bào)告

作為電力電子技術(shù)最具代表性的產(chǎn)品，IGBT是工業(yè)控制及自動(dòng)化領(lǐng)域的核心元器件，能夠根據(jù)工業(yè)裝置中的信號(hào)指令來(lái)調(diào)節(jié)電路中的電壓、電流、頻率、相位等，以實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)調(diào)控的目的，應(yīng)用場(chǎng)景包括變頻器、逆變焊機(jī)、電磁感應(yīng)加熱、工業(yè)電源等。

就應(yīng)用場(chǎng)景而言，IGBT可分為消費(fèi)類、工業(yè)級(jí)和車規(guī)級(jí)，車規(guī)級(jí)IGBT相對(duì)于工業(yè)級(jí)IGBT，對(duì)諸多耐受指標(biāo)要求更為嚴(yán)格。

IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品;封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上。IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，集合了MOSFET開(kāi)關(guān)速度快、輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)損耗小的優(yōu)點(diǎn)。

大電流高電壓的IGBT已模塊化,它的驅(qū)動(dòng)電路除上面介紹的由分立元件構(gòu)成之外,現(xiàn)在已制造出集成化的IGBT專用驅(qū)動(dòng)電路.其性能更好,整機(jī)的可靠性更高及體積更小。2021年10月30日22時(shí)，國(guó)家電網(wǎng)自主研發(fā)生產(chǎn)的3300伏IGBT器件經(jīng)過(guò)連續(xù)兩天2次12小時(shí)40萬(wàn)千瓦功率大負(fù)荷連續(xù)試運(yùn)行，在福建廈門(mén)柔直鷺島換流站完成調(diào)試。

IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為新型電力半導(dǎo)體場(chǎng)控自關(guān)斷器件，集功率MOSFET的高速性能與雙極性器件的低電阻于一體，具有輸進(jìn)阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡(jiǎn)單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電力變換中獲得極廣泛的應(yīng)用。與此同時(shí)，各大半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商不斷開(kāi)發(fā)IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可靠、低本錢(qián)技術(shù)，主要采用1um以下制作工藝，研制開(kāi)發(fā)取得一些新進(jìn)展。

目前，英飛凌等頭部企業(yè)在第七代IGBT上已經(jīng)達(dá)到量產(chǎn)水平。由于IGBT的生命周期較長(zhǎng)，產(chǎn)品迭代速率不追求你摩爾定律，使用周期較長(zhǎng)，雖然老一代產(chǎn)品的損耗較大，但其芯片的面積較大，穩(wěn)定性較好，部分領(lǐng)域仍會(huì)選擇使用舊代產(chǎn)品，因此，IGBT在市場(chǎng)上呈現(xiàn)多代共存的狀態(tài)。

IGBT產(chǎn)業(yè)鏈的上游原材料主要為硅晶圓、光刻板、引線框架、新型寬禁帶材料以及其他輔助材料等;中游包括產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、研發(fā)生產(chǎn)和封裝等工序，產(chǎn)品大致可以分為功率分立器件、功率IC和功率模組三大類，目前專業(yè)從事IGBT產(chǎn)品研發(fā)設(shè)計(jì)和銷售的企業(yè)主要有英飛凌、三菱、富士電機(jī)、安森美、斯達(dá)半導(dǎo)、士蘭微、時(shí)代電氣等等;產(chǎn)業(yè)鏈的下游應(yīng)用市場(chǎng)有消費(fèi)電子、家用電器、軌道交通、工業(yè)控制、網(wǎng)絡(luò)通信、軍工航天以及新能源產(chǎn)業(yè)鏈。

IGBT行業(yè)投資價(jià)值

華潤(rùn)微發(fā)布2023年中報(bào)：2023年上半年，公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入50.30億元，同比下降2.25%。毛利率34.30%，同比下降3.17pct。歸母凈利潤(rùn)7.78億元，同比下降42.57%?？鄯菤w母凈利潤(rùn)7.32億元，同比下降43.97%。凈利潤(rùn)下降原因主要系公司加大研發(fā)投入，同時(shí)深圳12英寸線、封測(cè)基地等新業(yè)務(wù)逐步開(kāi)展，整體期間費(fèi)用有所增長(zhǎng)。

IGBT&第三代半導(dǎo)體增速明顯。第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品方面，公司收入同比增長(zhǎng)約3.6倍，碳化硅MOS在新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、工業(yè)電源等領(lǐng)域多個(gè)客戶規(guī)模上量，碳化硅MOS上半年月度銷售額持續(xù)攀升，在碳化硅功率器件銷售中的比例逐步提升至50%以上;氮化鎵產(chǎn)品在通訊、工控、照明和快充等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)近十家行業(yè)頭部客戶合作，產(chǎn)品進(jìn)入批量供應(yīng)階段，助力營(yíng)收同比增長(zhǎng)192%。

宏微科技作為國(guó)內(nèi)IGBT龍頭企業(yè)之一，技術(shù)積累深厚，產(chǎn)品不斷深入新能源市場(chǎng)，產(chǎn)能規(guī)劃高增長(zhǎng)，長(zhǎng)期發(fā)展可期。光伏風(fēng)電儲(chǔ)能高速增長(zhǎng)也驅(qū)動(dòng)IGBT需求規(guī)模長(zhǎng)期增長(zhǎng)。公司產(chǎn)能積極規(guī)劃布局，中長(zhǎng)期業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)可期。子公司芯動(dòng)能項(xiàng)目的交付產(chǎn)能首期規(guī)劃投產(chǎn)120萬(wàn)塊車規(guī)產(chǎn)品，2023年下半年開(kāi)始投產(chǎn)和交付，或?qū)⒊蔀槲磥?lái)公司額外產(chǎn)能供應(yīng)點(diǎn)目前公司IGBT芯片迭代至第七代，部分產(chǎn)品性能與國(guó)際巨頭媲美，完成了150A、200A的拓展，并且12寸1700VIGBT芯片已完成開(kāi)發(fā)和驗(yàn)證;車用750V12寸芯片順利開(kāi)發(fā);SiC二極管研發(fā)成功并實(shí)現(xiàn)小批量供貨實(shí)現(xiàn)。公司產(chǎn)能積極規(guī)劃布局，中長(zhǎng)期業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)可期。公司短期業(yè)績(jī)高速增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)2023-2025年EPS分別為1.02/1.62/2.36元。。投資者應(yīng)該密切關(guān)注公司的產(chǎn)能擴(kuò)張情況和上游代工廠的漲價(jià)情況，以及行業(yè)周期對(duì)價(jià)格的影響。

在激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中，企業(yè)及投資者能否做出適時(shí)有效的市場(chǎng)決策是制勝的關(guān)鍵。IGBT行業(yè)報(bào)告對(duì)中國(guó)IGBT行業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀、競(jìng)爭(zhēng)格局及市場(chǎng)供需形勢(shì)進(jìn)行了具體分析，并從行業(yè)的政策環(huán)境、經(jīng)濟(jì)環(huán)境、社會(huì)環(huán)境及技術(shù)環(huán)境等方面分析行業(yè)面臨的機(jī)遇及挑戰(zhàn)。還重點(diǎn)分析了重點(diǎn)企業(yè)的經(jīng)營(yíng)現(xiàn)狀及發(fā)展格局，并對(duì)未來(lái)幾年行業(yè)的發(fā)展趨向進(jìn)行了專業(yè)的預(yù)判。

本報(bào)告同時(shí)揭示了IGBT市場(chǎng)潛在需求與潛在機(jī)會(huì)，為戰(zhàn)略投資者選擇恰當(dāng)?shù)耐顿Y時(shí)機(jī)和公司領(lǐng)導(dǎo)層做戰(zhàn)略規(guī)劃提供準(zhǔn)確的市場(chǎng)情報(bào)信息及科學(xué)的決策依據(jù)，同時(shí)對(duì)政府部門(mén)也具有極大的參考價(jià)值。同時(shí)包含大量的數(shù)據(jù)、深入分析、專業(yè)方法和價(jià)值洞察，可以幫助您更好地了解行業(yè)的趨勢(shì)、風(fēng)險(xiǎn)和機(jī)遇。

想了解關(guān)于更多IGBT行業(yè)專業(yè)分析，可點(diǎn)擊查看中研普華研究院撰寫(xiě)的《2023-2028年中國(guó)IGBT行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢(shì)預(yù)測(cè)報(bào)告》。

• 相關(guān)深度報(bào)告REPORTS

  

  2023-2028年中國(guó)IGBT行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢(shì)預(yù)測(cè)報(bào)告

  IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，集合了MOSFET開(kāi)關(guān)速度快、輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)損耗小和BJTI...

  查看詳情

延伸閱讀

推薦閱讀

猜您喜歡