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          IGBT行業(yè)市場(chǎng)如何?IGBT行業(yè)市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀調(diào)查分析

          IGBT核心技術(shù)掌握在發(fā)達(dá)國(guó)家企業(yè)手中,跟國(guó)內(nèi)廠商相比,英飛凌、三菱電機(jī)等國(guó)際龍頭具有強(qiáng)勢(shì)的品牌效應(yīng)。不過(guò)隨著國(guó)內(nèi)IGBT技術(shù)的發(fā)展,也涌現(xiàn)了比亞迪半導(dǎo)體、斯達(dá)半導(dǎo)等頭部企業(yè),具有較強(qiáng)的品牌效應(yīng)。由于IGBT行業(yè)存在技術(shù)門檻較高、人才匱乏、市場(chǎng)開拓難度大、資金投

          IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,集合了MOSFET開關(guān)速度快、輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、開關(guān)損耗小和BJT導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點(diǎn),能夠根據(jù)工業(yè)裝置中的信號(hào)指令來(lái)調(diào)節(jié)電路中的電壓、電流、頻率、相位等,以實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)調(diào)控的目的。

          根據(jù)封裝形式的不同,可以分為IGBT單管和IGBT模塊,由一個(gè)IGBT芯片和一個(gè)FRD續(xù)流二極管芯片封裝組成的是IGBT單管,由多個(gè)IGBT芯片和多個(gè)FRD續(xù)流二極管芯片封裝組成的是IGBT模塊。

          IGBT模塊產(chǎn)業(yè)鏈主要包括IGBT芯片設(shè)計(jì)、制造、模塊封測(cè)叁大部分,而根據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋程度,可以行業(yè)分為IDM、Fabless和Foundry叁種運(yùn)作模式。其中IDM模式覆蓋了芯片設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)叁個(gè)部分;Fabless模式僅覆蓋了芯片的設(shè)計(jì)部分;Foundry模式則只覆蓋了制造、封測(cè)部分,不參與芯片設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)。

          IGBT行業(yè)市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀

          近年來(lái),中國(guó)IGBT行業(yè)受到各級(jí)政府的高度重視和國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策的重點(diǎn)支持。國(guó)家陸續(xù)出臺(tái)了多項(xiàng)政策,鼓勵(lì)I(lǐng)GBT行業(yè)發(fā)展與創(chuàng)新,《關(guān)于鞏固回升向好趨勢(shì)加力振作工業(yè)經(jīng)濟(jì)的通知》《關(guān)于加快培育發(fā)展制造業(yè)優(yōu)質(zhì)企業(yè)的指導(dǎo)意見(jiàn)》《基礎(chǔ)電子元器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展行動(dòng)計(jì)劃(2021-2023年)》等產(chǎn)業(yè)政策為IGBT行業(yè)的發(fā)展提供了明確、廣闊的市場(chǎng)前景,為企業(yè)提供了良好的生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)環(huán)境。

          IGBT作為國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。由于經(jīng)濟(jì)的飛速發(fā)展,我國(guó)能源需求量大幅上升,在節(jié)能減排政策的背景下,新能源發(fā)電、新能源汽車等節(jié)能效果明顯的產(chǎn)品近年來(lái)市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大。

          各電壓等級(jí)IGBT應(yīng)用領(lǐng)域各不相同:在低壓領(lǐng)域:IGBT主要應(yīng)用于變頻白色家電、新能源汽車、新能源充電樁等領(lǐng)域,隨著變頻家電和新能源汽車滲透率的逐步提升,帶動(dòng)相關(guān)IGBT需求持續(xù)上升。在中壓領(lǐng)域:隨著信息產(chǎn)業(yè)與高端制造業(yè)的快速發(fā)展,新能源并網(wǎng)和電網(wǎng)工程建設(shè)工程逐步加強(qiáng),我國(guó)工業(yè)逆變焊機(jī)、逆變頻器市場(chǎng)持續(xù)升溫,USB電源與新能源發(fā)電市場(chǎng)穩(wěn)步增長(zhǎng)。在高壓領(lǐng)域:主要應(yīng)用于軌道交通和電網(wǎng)傳輸領(lǐng)域,二者發(fā)展規(guī)模與投資規(guī)模持續(xù)增長(zhǎng)。

          IGBT核心技術(shù)掌握在發(fā)達(dá)國(guó)家企業(yè)手中,跟國(guó)內(nèi)廠商相比,英飛凌、三菱電機(jī)等國(guó)際龍頭具有強(qiáng)勢(shì)的品牌效應(yīng)。不過(guò)隨著國(guó)內(nèi)IGBT技術(shù)的發(fā)展,也涌現(xiàn)了比亞迪半導(dǎo)體、斯達(dá)半導(dǎo)等頭部企業(yè),具有較強(qiáng)的品牌效應(yīng)。由于IGBT行業(yè)存在技術(shù)門檻較高、人才匱乏、市場(chǎng)開拓難度大、資金投入較大等困難,國(guó)內(nèi)企業(yè)在產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程中一直進(jìn)展緩慢。

          近年來(lái)我國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模不斷增長(zhǎng),據(jù)統(tǒng)計(jì),截至2022年我國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模約為220.23億元,其中汽車IGBT領(lǐng)域市場(chǎng)規(guī)模約為77.24億元,工控及其他領(lǐng)域IGBT市場(chǎng)規(guī)模約為142.99億元。IGBT屬于高端的功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域,行業(yè)準(zhǔn)入門檻高,我國(guó)IGBT產(chǎn)業(yè)起步較晚,但在政策的鼓勵(lì)下,我國(guó)IGBT產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速,技術(shù)水平屢屢有新的突破,已有產(chǎn)品可以大批量滿足下游應(yīng)用客戶的需求,提高IGBT器件國(guó)產(chǎn)替代率指日可待。

          我國(guó)IGBT目前主要有封裝、IDM、Fabless叁種發(fā)展模式,核心芯片仍主要從國(guó)外進(jìn)口,因而“中國(guó)芯”問(wèn)題是IGBT量產(chǎn)的核心問(wèn)題,據(jù)統(tǒng)計(jì),截至2022年我國(guó)IGBT產(chǎn)量約為19198萬(wàn)只,需求量約為74709萬(wàn)只。

          國(guó)產(chǎn)廠商目前鉚足了勁擴(kuò)產(chǎn),憑借性價(jià)比、本土供應(yīng)鏈便利性是很有可能趁機(jī)擴(kuò)大市場(chǎng)份額的。

          據(jù)中研產(chǎn)業(yè)研究院《2024-2029年IGBT產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)分析報(bào)告》分析:

          IGBT的發(fā)展,自1988年至今,已歷經(jīng)7次技術(shù)迭代。迭代方向主要集中在芯片面積和厚度逐年減小,功率損耗逐年降低,阻斷電壓等級(jí)逐年提升,向高穩(wěn)定性、高可靠性發(fā)展。

          我國(guó)本土廠商進(jìn)場(chǎng)較晚,缺乏豐富經(jīng)驗(yàn)的技術(shù)人才,疊加貿(mào)易摩擦,導(dǎo)致中國(guó)IGBT產(chǎn)品在技術(shù)端嚴(yán)重滯后于國(guó)際巨頭的產(chǎn)品,目前國(guó)內(nèi)大部分供應(yīng)商僅能實(shí)現(xiàn)在第四代、第五代進(jìn)行量產(chǎn)。直到2021年,國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體龍頭企業(yè)斯達(dá)半導(dǎo),基于第七代微溝槽Trench Field Stop技術(shù)的新一代車規(guī)級(jí) 650V/750V IGBT芯片研發(fā)成功,并通過(guò)客戶驗(yàn)證,我國(guó)企業(yè)車規(guī)級(jí)IGBT才首次出現(xiàn)第七代產(chǎn)品。

          從我國(guó)IGBT應(yīng)用結(jié)構(gòu)情況來(lái)看,工業(yè)控制、新能源汽車、新能源發(fā)電已然是IGBT主要的應(yīng)用領(lǐng)域。

          受益于新能源汽車、新能源、工業(yè)控制等領(lǐng)域的需求大幅增加,IGBT成為目前發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。IGBT屬于高端的功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域,行業(yè)準(zhǔn)入門檻高,我國(guó)IGBT產(chǎn)業(yè)起步較晚,但在政策的鼓勵(lì)下,我國(guó)IGBT產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速,技術(shù)水平屢屢有新的突破,已有產(chǎn)品可以大批量滿足下游應(yīng)用客戶的需求,提高IGBT器件國(guó)產(chǎn)替代率指日可待。

          報(bào)告對(duì)中國(guó)IGBT行業(yè)的內(nèi)外部環(huán)境、行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀、產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展?fàn)顩r、市場(chǎng)供需、競(jìng)爭(zhēng)格局、標(biāo)桿企業(yè)、發(fā)展趨勢(shì)、機(jī)會(huì)風(fēng)險(xiǎn)、發(fā)展策略與投資建議等進(jìn)行了分析,并重點(diǎn)分析了我國(guó)IGBT行業(yè)將面臨的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。

          想要了解更多IGBT行業(yè)詳情分析,可以點(diǎn)擊查看中研普華研究報(bào)告《2024-2029年IGBT產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)分析報(bào)告》。

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