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          中國(guó)去膠及熱處理設(shè)備行業(yè)現(xiàn)狀:市場(chǎng)規(guī)模約為15億美元

          半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)形勢(shì)嚴(yán)峻,如何合理布局才能立于不???

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          從中國(guó)去膠設(shè)備行業(yè)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局來看,干法去膠設(shè)備領(lǐng)域的主要參與者包括屹唐半導(dǎo)體、稷以科技、泰仕半導(dǎo)體等企業(yè)。數(shù)據(jù)顯示,2023年國(guó)內(nèi)去膠及熱處理設(shè)備行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模約為15億美元。

          一、去膠及熱處理設(shè)備行業(yè)簡(jiǎn)介

          在半導(dǎo)體前段制造中,其流程包括清洗、氧化、涂膠、光刻、顯影、刻蝕、離子注入、去膠、薄膜沉積和CMP。

          去膠即刻蝕或離子注入完成之后去除殘余光刻膠的過程。去膠工藝類似于刻蝕,操作對(duì)象是光刻膠。去膠工藝可分為濕法去膠和干法去膠,濕法去膠工藝使用溶劑對(duì)光刻膠等進(jìn)行溶解,干法去膠工藝可視為等離子刻蝕技術(shù)的延伸,主要通過等離子體和薄膜材料的化學(xué)反應(yīng)完成,目前主流工藝是干法去膠。

          這里的去膠及熱處理設(shè)備主要是指在半導(dǎo)體前段制造,用于去膠和熱處理的相關(guān)設(shè)備。

          在光刻工藝中,晶圓表面被均勻覆蓋光刻膠薄層后在光刻機(jī)中進(jìn)行曝光。在光刻機(jī)曝光下改變了化學(xué)性質(zhì)的光刻膠在顯影步驟中被清除,光刻圖形相應(yīng)完成至光刻膠層的轉(zhuǎn)移。光刻膠層上的圖形進(jìn)一步通過刻蝕、離子注入等工藝被轉(zhuǎn)移到晶圓表面后,通過去膠工藝將晶圓表面剩余光刻膠進(jìn)行完全清除,從而避免對(duì)后續(xù)集成電路芯片制造工藝效果的影響。干法去膠工藝可視為等離子刻蝕技術(shù)的延伸,主要通過等離子體和薄膜材料的化學(xué)反應(yīng)完成,是目前的主流工藝。

          二、去膠工藝簡(jiǎn)介

          1、濕法去膠

          濕法去膠是將帶有光刻膠的晶圓片浸泡在適當(dāng)?shù)挠袡C(jī)溶劑中溶解或者分解光刻膠,將晶圓表面的光刻膠去除。在濕法刻蝕前,光刻膠的表面都經(jīng)過了表面加固處理,這使得光刻膠在大部分去膠液中都不溶解或者很難完全溶解。這種情況下,在進(jìn)行濕法去膠前還需要用等離子體去掉最上面的一層膠。濕法去膠的主要缺點(diǎn)是去膠周期長(zhǎng),容易引進(jìn)無機(jī)雜質(zhì),并且操作麻煩。

          2、干法去膠

          干法去膠主要是等離子去膠,通常采用等離子體氧化或分解等方式去除光刻膠。

          等離子去膠機(jī)是廣泛應(yīng)用于去膠的設(shè)備。去膠機(jī)通過氧原子和光刻膠在等離子體環(huán)境中發(fā)生反應(yīng)來去除光刻膠。光刻膠的基本成分是碳?xì)渚酆衔?,氧原子可以很快地和光刻膠反應(yīng)生成一氧化碳、二氧化碳和水等,這些生成物會(huì)被真空系統(tǒng)抽走。干法去膠既不需要化學(xué)試劑,也不需要加溫。

          去膠方式
          主要應(yīng)用領(lǐng)域
          主要優(yōu)點(diǎn)
          主要缺點(diǎn)
          氧化去膠
          容易腐蝕金屬,故不適合用在Al/Cu等制程的去膠
          工藝相對(duì)簡(jiǎn)單
          清除光刻膠不徹底、部分工藝不適合、去膠速度慢
          干法去膠
          適用于絕大部分的去膠工藝
          徹底去除光刻膠、速度快
          容易被反應(yīng)殘留物污染
          溶劑去膠
          適用于金屬制成后的去膠
          工藝相對(duì)簡(jiǎn)單
          清除光刻膠不徹底、部分工藝不適合、去膠速度慢

          干法去膠工藝中必須關(guān)注的是由于離子轟擊對(duì)晶圓片表面器件的損傷。盡管目前干法去膠技術(shù)已經(jīng)得到了極大的改進(jìn),比如采用順流去膠機(jī)可以大大減少等離子體對(duì)器件的損傷,但是隨著低介電材料在工業(yè)中的廣泛應(yīng)用,技術(shù)人員又面臨著新的挑戰(zhàn),他們需要研發(fā)新的工藝和設(shè)備,使得在工藝生產(chǎn)中不會(huì)損傷非常敏感的材料,正是由于這些因素,濕法去膠工藝仍然被使用。

          二、中國(guó)去膠及熱處理設(shè)備行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

          我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程取得了不小的進(jìn)步,但是在中高端制程能力欠缺較為嚴(yán)重,在歐美聯(lián)合封鎖和打壓下,國(guó)產(chǎn)化成為國(guó)家和半導(dǎo)體行業(yè)不得已的選擇,我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備公司迎來了發(fā)展的良機(jī)。中國(guó)的半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模,增速將會(huì)長(zhǎng)期高于全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)增速。

          從中國(guó)去膠設(shè)備行業(yè)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局來看,干法去膠設(shè)備領(lǐng)域的主要參與者包括屹唐半導(dǎo)體、稷以科技、泰仕半導(dǎo)體等企業(yè)。數(shù)據(jù)顯示,2023年國(guó)內(nèi)去膠及熱處理設(shè)備行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模約為15億美元。

          圖表:2021-2023年中國(guó)去膠及熱處理設(shè)備行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模

          三、中國(guó)去膠及熱處理設(shè)備行業(yè)重點(diǎn)廠商分析

          1、屹唐半導(dǎo)體

          北京屹唐半導(dǎo)體科技股份有限公司是一家總部位于北京,以中國(guó)、美國(guó)、德國(guó)為基地,全球化運(yùn)營(yíng)的半導(dǎo)體設(shè)備公司,主要從事集成電路制造中半導(dǎo)體晶圓處理設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。

          2016年5月,屹唐半導(dǎo)體成功收購(gòu)了總部位于美國(guó)硅谷的半導(dǎo)體設(shè)備公司Mattson,收購(gòu)后,屹唐半導(dǎo)體主要為全球半導(dǎo)體芯片制造廠商提供干法去膠、干法刻蝕、快速熱處理、毫秒級(jí)快速退火等設(shè)備及應(yīng)用方案,其中干法去膠、快速熱處理、毫秒級(jí)快速退火設(shè)備在各自細(xì)分領(lǐng)域的市場(chǎng)份額均處于世界前列,主要客戶涵蓋全球主要芯片制造廠商。

          2、稷以科技

          稷以科技成立于2015年,是一家專注于等離子體技術(shù)應(yīng)用的半導(dǎo)體設(shè)備公司,為業(yè)內(nèi)提供一流的等離子體應(yīng)用整體解決方案,主要應(yīng)用于化合物半導(dǎo)體制造、硅基半導(dǎo)體制造、半導(dǎo)體封裝、LED芯片、汽車電子等領(lǐng)域。公司核心團(tuán)隊(duì)人員均來自國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)軍公司,團(tuán)隊(duì)經(jīng)驗(yàn)豐富,在技術(shù)研發(fā)、應(yīng)用、銷售以及客戶技術(shù)支持上都具備全方位的行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力。

          2024-2029年中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)市場(chǎng)分析及發(fā)展前景預(yù)測(cè)報(bào)告》由中研普華產(chǎn)業(yè)研究院撰寫,本報(bào)告對(duì)該行業(yè)的供需狀況、發(fā)展現(xiàn)狀、行業(yè)發(fā)展變化等進(jìn)行了分析,重點(diǎn)分析了行業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀、如何面對(duì)行業(yè)的發(fā)展挑戰(zhàn)、行業(yè)的發(fā)展建議、行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力,以及行業(yè)的投資分析和趨勢(shì)預(yù)測(cè)等等。報(bào)告還綜合了行業(yè)的整體發(fā)展動(dòng)態(tài),對(duì)行業(yè)在產(chǎn)品方面提供了參考建議和具體解決辦法。

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