存儲芯片下行周期有望見底 A股上市公司加速布局 機構：三季度存儲芯片平均單價有望上漲5%-10%

• 曾燕 2023年9月9日 來源：互聯(lián)網(wǎng) 344 15
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近期，存儲芯片大廠三星、SK海力士、美光公司等陸續(xù)控制產能、醞釀提價，受到業(yè)界關注。對此，多位業(yè)內人士表示，存儲芯片價格下行周期一般為1年至2年，本輪存儲芯片價格下行自2021年年中開始，結合各大廠自去年下半年起陸續(xù)下調產能計劃，存儲芯片下行周期逐漸走向尾聲

存儲芯片下行周期有望見底 A股上市公司加速布局

近期，存儲芯片大廠三星、SK海力士、美光公司等陸續(xù)控制產能、醞釀提價，受到業(yè)界關注。對此，多位業(yè)內人士表示，存儲芯片價格下行周期一般為1年至2年，本輪存儲芯片價格下行自2021年年中開始，結合各大廠自去年下半年起陸續(xù)下調產能計劃，存儲芯片下行周期逐漸走向尾聲。信息技術高速發(fā)展帶來數(shù)據(jù)存儲需求不斷增長，未來存儲芯片市場空間廣闊，在行業(yè)周期觸底之際，A股上市公司競相布局存儲芯片賽道。一方面，加快技術升級提升競爭力，另一方面，積極開拓市場增加市場份額，緊抓行業(yè)復蘇機遇。

上市公司加速拓展市場

目前全球主要的NAND Flash廠商為三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、SK海力士等，DRAM主要廠商為三星、SK海力士等。我國存儲芯片廠商目前所占市場份額較低。在全球存儲芯片周期低谷之中，多家A股上市公司逆勢布局，通過并購、定增等提升競爭力。

9月6日，江波龍披露擬購買力成科技(蘇州)有限公司70%股權事項進展。本次交易完成后，江波龍將通過控制及實際運營力成科技(蘇州)有限公司新增存儲芯片封裝測試等業(yè)務，補足公司封裝測試的生產能力，完善產業(yè)鏈布局。今年6月份，江波龍還宣布擬購買SMART Brazil及其子公司81%股權，進一步拓展當?shù)厥袌觥?/p>

江波龍近日在業(yè)績說明會上表示：“今年上半年公司業(yè)績有所承壓，但實際上從全球市場份額來看，公司市占率反而有所提升。未來，公司將聚焦于存儲產業(yè)，不斷提升公司的市場影響力和核心競爭力，進一步提升經營管理水平，增強公司的長期盈利能力?！?/p>

今年7月份，佰維存儲披露定增預案，擬募資不超過45億元，用于惠州佰維先進封測及存儲器制造基地擴產建設項目、晶圓級先進封測制造項目、研發(fā)中心升級建設項目、補充流動資金。

佰維存儲方面表示：“本次定增將提升公司的存儲器封測產能并構建晶圓級封測能力。當前，國產存儲產業(yè)鏈屬于發(fā)展初期，挑戰(zhàn)與機遇并存，公司此次定增有助于把握行業(yè)發(fā)展的歷史性機遇。”

深科技方面近日在接受機構調研時表示：“公司認為隨著先進封裝技術壁壘不斷提高，率先擁有先進封裝技術和產能儲備的封測企業(yè)將有望通過技術和規(guī)模壁壘取得行業(yè)領先優(yōu)勢。在存儲半導體領域，公司將緊跟存儲半導體行業(yè)市場和國內外客戶需求，繼續(xù)加快擴充優(yōu)質產能，通過優(yōu)化產品結構發(fā)展新業(yè)務，進一步拓寬業(yè)務布局。”

據(jù)中研普華產業(yè)研究院出版的《2023-2028年中國存儲芯片行業(yè)市場競爭分析及發(fā)展預測報告》統(tǒng)計分析顯示：

HBM" 救場 " 存儲芯片巨頭財報，三星電子存儲業(yè)務所在 DS 部門二季度虧損收窄，SK 海力士二季度銷售額超出分析師預期，公司表示，生成式AI 市場的擴張已迅速推高了對 AI 服務器內存的需求，因此，HBM3 和 DDR5 等高端產品的銷量增加。

美光科技此前曾表示，AI 服務器對 DRAM 和 NAND 的容量需求分別是常規(guī)服務器的 8 倍和 3 倍。存儲芯片按照斷電后數(shù)據(jù)是否丟失，可分為易失性存儲芯片和非易失性存儲芯片。易失性存儲芯片常見的是 DRAM，非易失性存儲芯片常見的是 NAND 閃存芯片和 NOR 閃存芯片。

存儲芯片往往被作為半導體產業(yè)的風向標，呈現(xiàn)出較強的周期性，行業(yè)景氣度受供需關系影響較大，在景氣度高漲時，各廠商擴大產能以增加收入，易導致供應過剩，而在景氣度下降時則收縮產能、降價清理庫存，最終導致市場供不應求。

半導體需求及價格持續(xù)滑落，造成南韓半導體大廠滿手庫存，據(jù)外媒報導，三星電子、SK海力士和東部高科，截至2023年第一季度末，半導體庫存總額已接近50兆韓元，創(chuàng)下有統(tǒng)計以來最高庫存金額歷史紀錄。

產業(yè)市況低迷，對三星電子和SK海力士兩大廠商影響明顯，三星電子存儲業(yè)務的營收，連續(xù)三個季度季比及年比大幅下滑;SK海力士的營收也是連續(xù)三個季度季比及年比皆大幅下滑，去年四季度和今年一季度更出現(xiàn)了虧損。

根據(jù)芯片資深從業(yè)人員透露，三星電子已經通知了它的分銷商，將不再以低于當前價格出售DRAM芯片。

三星作為內存龍頭企業(yè)，它的DRAM價格如果可以停止下跌，那其它廠商大概率會效仿，比方說：中國龍頭企業(yè)的顆粒報價已經從上周開始抬升。當龍頭企業(yè)的價格已停止下跌時，或許還會有更多的廠商會效仿，那么現(xiàn)貨價格或許很快就能起穩(wěn)，那漲價也是大概率事件。

存儲芯片根據(jù)其性質可劃分為不同的類型。按照掉電后數(shù)據(jù)是否可以繼續(xù)保存在器件內，存儲芯片可分為：掉電易失和掉電非易失兩種。

易失存儲芯片主要包含：靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)和動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)。像這次三星價格反彈的芯片，也就是這個動態(tài)隨機存儲器(DRAM)。

非易失性存儲器主要包括：可編程只讀存儲器 (PROM)，閃存存儲器(Flash)和可擦除可編程只讀寄存器(EPROM/EEPROM)等。

在這么多種類種，目前主要由：DRAM 和 NAND Flash ，這兩種占據(jù)主要存儲芯片市場。

據(jù) TrendForce 數(shù)據(jù)，22Q4 全球 DRAM 市場規(guī)模為121.55 億美元，主要被：三星、SK 海力士等三家巨頭壟斷，三家市場份額合計高達 95.8%。

機構：三季度存儲芯片平均單價有望上漲5%-10%

9月4日，研究機構野村最新報告指出，第三季主要存儲芯片價格已趨穩(wěn)定或上升，價格較高的HBM、DDR5和LPDDR5X組合增加，使存儲芯片平均單價有望上漲5%-10%。但DDR4和NAND領域需求仍疲弱，因此野村預期，存儲芯片大廠第四季可能擴大減產，年底庫存有機會降至正常水準。

未來行業(yè)市場發(fā)展前景和投資機會在哪?欲了解更多關于行業(yè)具體詳情可以點擊查看中研普華產業(yè)研究院的報告《2023-2028年中國存儲芯片行業(yè)市場競爭分析及發(fā)展預測報告》。由中研普華研究院撰寫，本報告對我國存儲芯片行業(yè)的供需狀況、存儲芯片發(fā)展現(xiàn)狀、存儲芯片子行業(yè)發(fā)展變化等進行了分析，重點分析了存儲芯片行業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀、如何面對行業(yè)的發(fā)展挑戰(zhàn)、存儲芯片行業(yè)的發(fā)展建議、存儲芯片行業(yè)競爭力，以及行業(yè)的投資分析和趨勢預測等等。存儲芯片報告還綜合了行業(yè)的整體發(fā)展動態(tài)，對行業(yè)在產品方面提供了參考建議和具體解決辦法。

存儲芯片行業(yè)研究報告旨在從國家經濟和產業(yè)發(fā)展的戰(zhàn)略入手，分析存儲芯片未來的政策走向和監(jiān)管體制的發(fā)展趨勢，挖掘存儲芯片行業(yè)的市場潛力，基于重點細分市場領域的深度研究，提供對產業(yè)規(guī)模、產業(yè)結構、區(qū)域結構、市場競爭、產業(yè)盈利水平等多個角度市場變化的生動描繪，清晰發(fā)展方向。

在形式上，存儲芯片報告以豐富的數(shù)據(jù)和圖表為主，突出文章的可讀性和可視性，避免套話和空話。報告附加了與行業(yè)相關的數(shù)據(jù)、存儲芯片政策法規(guī)目錄、主要企業(yè)信息及存儲芯片行業(yè)的大事記等，為投資者和業(yè)界人士提供了一幅生動的存儲芯片行業(yè)全景圖。

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  2023-2028年中國存儲芯片行業(yè)市場競爭分析及發(fā)展預測報告

  存儲芯片，是嵌入式系統(tǒng)芯片的概念在存儲行業(yè)的具體應用。因此，無論是系統(tǒng)芯片還是存儲芯片，都是通過在單一芯片中嵌入軟件，實現(xiàn)多功能和高性能，以及對多種協(xié)議、多種硬件和不同應用的支持。...

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